RCD的计算方法（欢迎找茬。有多位大神参与）

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RCD的计算方法（欢迎找茬。有多位大神参与） [复制链接]

 

先上个RCD钳位的原理图

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再上个MOS的VDS波形

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一个是钳位电压，上边用Vsn表示;一个是折射电压，上边用VRO表示;还有个脉动电压，上边用ΔV表示;MOS管的最大耐压，上边用BVdss表示；电源的最高输入电压，上边用Vin max表示。

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钳位电压Vsn是电容C两端的电压，与选用MOS的BVdss及最高输入电压以及降额系数有关，一般在最高输入电压Vin max下考虑0.9的降额，则有

Vsn=0.9*BVdss-Vin max（我上边的实验选择的MOS为IRF640，BVdss=200V，Vin max=70V）

可以算出钳位电压Vsn为110V

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然后算折射电压VRO，根据VRO=（VOUT+VD)/（NS/NP）

式中VOUT为输出电压

VD为二极管管压降

NS为次级匝数

NP为初级匝数

我的初级NP为31匝，次级NS为10匝，管压降VD≈1V，输出电压VOUT=12V

算出VRO=（12+1）/（10/31）=40V

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确定漏感量LIK，这个可以通过测试得出，我的实测了下为2.79uH；也可以估测此漏感值，一般为初级电感量的5%；

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确定峰值电流IPK的值

输入功率PIN=POUT/η，

式中POUT为输出功率

η为效率

我的输出电压为12V，电流为3A，假设效率为80%；

代入式中得PIN=12*3/0.8=45W

算出平均电流Iin-avg=PIN/Vin min

式中Vin min为最小输入电压

我的最小输入是40V，也就是1207的最低输入电压。

代入式得Iin-avg=45/40=1.125A

确定峰值电流IPK=2*Iin-avg/δmax

式中δmax为最大占空比

我的设的为0.5

代入式得IPK=2*1.125/0.5=4.2A

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确定钳位电阻R的值，根据公式R=2（Vsn-VRO)*Vsn/LIK*IPK*IPK*fs

式中fs为开关频率

IPK*IPK为IPK的平方

我的频率fs为50Khz

代入式得R=【2*（110-40）*110】/【2.79*4.2*4.2*50k】

R=27K

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确定R的功率PR=Vsn*Vsn/R

代入数值得PR=110*110/27000=0.448W可以用1W的电阻

记住：建议降额50%采用。

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确定钳位电容C的值

我们前边一直把C的点电压VC当成不变的处理，实际是有波动的，因为有漏感等杂散电感的影响，所有会有所波动，一般这个脉动电压ΔV取钳位电压Vsn的5%-10%，我们这取10%吧，所以ΔV=11V

钳位电容的值C=Vsn/ΔV*R*fs

带入值得C=110/11*27k*50k=0.0074uF

这里我们选个C=0.01uF的也就是103PF的电容

yet

牛叉，   
祝您老人家在承接各类型开关电源项目外包设计，特殊定制的道路上成功，，，多接单子，多发财，最好接住国外越南的单子，也要注意休息，要劳逸结合哦，，

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最大占空比并不是千篇一律的设定为50%，这样搞很惨的

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既然版主让找茶，那俺就随便提两处：

1，反激的钳位电压在整个工作过程中，随输入电压和负载电流的变化波动较小，那么，从4楼到5楼的偏差就实在太大了。4楼计算出钳位电压110V，扣掉10V尖峰，VRO还有60V吧，到了5楼马上又计算出VRO为40V，这那跟那啊？5楼正确的计算方法，应该是跟据VOUT, VD, VRO去计算匝比 N=（VOUT+VD) / VRO，并且到这里还只能得到匝比，而不能得出确定的匝数，因为在５楼之前，并没有出现关于表达伏秒的参数

２，确定Ｉpk之前，必须先定义是电流模式，是ＤＣＭ，ＣＲＭ，还是ＣＣＭ

其它的茶，待版主补充之后再找

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如果定义电流模式为CCM，那么还要定义其纹波率，这才能得到 Ipk

PowerAnts

我弄的话，充分利用ＭＯＳＦＥＴ的ＶＤＳＳ，匝比应为 = 60 / (12+1) = 4.6，Dmax=60/（６０＋４０）＝０.６

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反激的原型是buck-boost

buck-boost的为：

VOUT=VIN*D/(1-D)

D=VOUT/(VOUT+VIN)

反激的话，把VOUT换成VRO就是了

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PowerAnts 发表于 2019-8-25 09:54 最大占空比并不是千篇一律的设定为50%，这样搞很惨的

同意，一般设计的时候Dmax应该是设定在0.3-0.5之间，最好不要等于0.5，BCM模式

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PowerAnts 发表于 2019-8-25 10:41 我弄的话，充分利用ＭＯＳＦＥＴ的ＶＤＳＳ，匝比应为 = 60 / (12+1) = 4.6，Dmax=60/（６０＋４０）＝０. ...

Vro设定太小，Dmax就会越大，输出二极管的应力也会增加，这个要根据mos的VDS来折中取值，一般采用80v。

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PowerAnts 发表于 2019-8-25 10:20 如果定义电流模式为CCM，那么还要定义其纹波率，这才能得到 Ipk

这个也是网上下载的东西，应该是BCM模式下的计算，如果是CCM确实应该代入纹波计算Ipk。

ps：正因为是网上下载的，所以才说要经过认证确认是否正确，找茬的目的就是为了寻找真理。

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PowerAnts 发表于 2019-8-25 10:46 反激的原型是buck-boost buck-boost的为： VOUT=VIN*D/(1-D) D=VOUT/(VOUT+VIN) 反激的话，把V ...

一般小功率反激设计一般都是以临界模式来计算，在反射电压、最大占空比、最佳匝比这三个参数中要考虑折中取值。

当然，若是换成断续或是连续模式就另外说法了。