PowerAnts

伟林电源 发表于 2019-8-25 14:13 Vro设定太小，Dmax就会越大，输出二极管的应力也会增加，这个要根据mos的VDS来折中取值，一般采用80v。

不对，应该是VRO越小，占空比越小

PowerAnts

伟林电源 发表于 2019-8-25 14:19 一般小功率反激设计一般都是以临界模式来计算，在反射电压、最大占空比、最佳匝比这三个参数中要考虑折中 ...

对于反激来说，40W不小了。

反射电压，最大占空比，最佳匝比三个参数推来推去其实就是一个量，没有折中取值之说

MOSFET给定，输入输出电压范围给定，即可求出最佳反射电压，那么最大占空比，合理的匝比也就固定了。这三者不会出现一个或两个参数固定，而另两个或一个参数可以变化的情况。

PowerAnts

版主应该搞点自已的干货啊，网上转的东西不靠谱!

反激的东西，要转就转cmg（郭春明）和乞力马扎罗的雪（戴斌）的

非名家的手笔的，你也真敢贴，哈哈！

PowerAnts

戴斌这人不简单，化工专业的玩电源这么溜

伟林电源

PowerAnts 发表于 2019-8-25 14:26 对于反激来说，40W不小了。 反射电压，最大占空比，最佳匝比三个参数推来推去其实就是一个量，没有折 ...

三个参数要先确定一个才可以，从mos选型确定后，根据mos的Vds来选定Vr ，然后计算其他两个参数，

伟林电源

PowerAnts 发表于 2019-8-25 14:20 不对，应该是VRO越小，占空比越小

这个是我打错字了，选择小Vr有以下几个优缺点：

好处：

1、可以减少原边匝数从而减少铜损，

2、减小原边感量从而减小气息并降低漏感

3、降低尖峰；

4、提高低端输入效率；

坏处：

1、增加磁损；

2、降低高端输入效率；

3、增加输出二极管的应力；

伟林电源

PowerAnts 发表于 2019-8-25 14:32 版主应该搞点自已的干货啊，网上转的东西不靠谱! 反激的东西，要转就转cmg（郭春明）和乞力马扎罗的雪（ ...

在找错中学习，是我认为比较好的学习方法，这样容易加深理解和记忆。

PowerAnts

伟林电源 发表于 2019-8-25 14:43 三个参数要先确定一个才可以，从mos选型确定后，根据mos的Vds来选定Vr ，然后计算其他两个参数，

匝比可不是先确定的，指定匝比来计算另两项，就是靠蒙，下下策！

指定占空比来确定其它参数，乃教条主义！中策

由反射电压确定其它参数，上上策！！

那能一上来就锁定占空比只能在多少多少范围，不能超过多少多少？

电视机的行输出就是一个反激电路，行周期64uS，正逆程时间12/52uS，占空比达0.8125。

跑多大占空比最好，要看具体的要求，如果推荐常量，那属于经验取值，需要加备注说明。不然一文传一文，最后就离理论远了去

伟林电源

PowerAnts 发表于 2019-8-25 14:35 戴斌这人不简单，化工专业的玩电源这么溜

当初选择专业或许不是他的本意，也偏离了他的天赋资质。

ps：其实我也一直认为自己是抽象派，而不是务实派。

不亦心

拍一砖，

R的计算结果是瞎写的和公式对不上

R的计算公式是按漏感能量全吸收计算的，实际上漏感能量相当大一部分会通过二极管反向恢复返回

C的计算默认为恒流放电，且整个Ts都在放电，两个误差积累，倒不如直接用能量关系计算来的直接清爽

不亦心

伟林电源 发表于 2019-8-25 14:56 这个是我打错字了，选择小Vr有以下几个优缺点： 好处： 1、可以减少原边匝数从而减少铜损， 2、 ...

实际应用中，如果输出电压比较高，不得不设置比较大的Vor，比如LED电源

毕竟高压MOS大把，肖特基不行

PowerAnts

PowerAnts 发表于 2019-8-25 14:59 匝比可不是先确定的，指定匝比来计算另两项，就是靠蒙，下下策！ 指定占空比来确定其它参数，乃教条主 ...

纠正：正逆程时间数据写反了，应该是正程52uS（行输出管导通）, 逆程12uS（行输出管截止）

伟林电源

不亦心 发表于 2019-8-25 15:22 伟林电源 发表于 2019-8-25 14:56 这个是我打错字了，选择小Vr有以下几个优缺点： 好处： 1、可以减少原 ...

是的，所以我才反驳蚂蚁大神的观点啊，（纯属技术讨论）

1、vor小会增加输出二极管的应力，在输出电压比较高的案例中就需要折中选择，

2、.vor大，匝比就大，铜损会增加，磁芯窗口系数也要考虑。

3、基于哪种电流工作模式，dmax的取值也是需要折中考虑的。

4.、vor小，磁饱和这块是否要考虑呢？

伟林电源

PowerAnts 发表于 2019-8-25 14:59 匝比可不是先确定的，指定匝比来计算另两项，就是靠蒙，下下策！ 指定占空比来确定其它参数，乃教条主 ...

我所说的折中考虑并不是你所说的任意确定某个取值然后去计算其他两个取值，而是在合理的范围做一定的调整罢了，比如说，如果vor小了，超出了输出二极管的应力范围或是接近了怎么办，是不是可以适当的调高vor来接近呢？

伟林电源

不亦心 发表于 2019-8-25 15:13 拍一砖， R的计算结果是瞎写的和公式对不上 R的计算公式是按漏感能量全吸收计算的，实际上漏感能量相 ...

1、R的计算公式确实不是很理想，计算得出值跟实际值有一定的偏差；

2、其实R的取值应该是按照漏感的50-60%来计算的，因为有一部分漏感能量是消耗在开关损耗里面的。

3、C是根据他的钳位电压来计算，这个应该没什么问题；、

PowerAnts

伟林电源 发表于 2019-8-25 15:33 不亦心 发表于 2019-8-25 15:22 伟林电源 发表于 2019-8-25 14:56 这个是我打错字了，选择小Vr有以下几个 ...

你反驳的是我的啥观点？你指出来看看！

我在21楼指出VRO越小，占空比越小，你如何理解成我要用小占空比了？我可是一直推荐挖尽MOSFET的耐力潜力，用大占空比增加匝比，从而减小二极管应力的。

你在26楼的那堆字，只不过是你纠正自已的说法，怎么就变成反驳我了呢？

PowerAnts

伟林电源 发表于 2019-8-25 15:37 我所说的折中考虑并不是你所说的任意确定某个取值然后去计算其他两个取值，而是在合理的范围做一定的调整 ...

为什么要有“如果VOR小了“ ？VOR按MOSFET的耐压来取何来的“小了” ？

出现”VOR小了“的情况，是因为方法不对，导致瞎取值，我前面说了：靠蒙

maychang

伟林电源 发表于 2019-8-25 15:00 当初选择专业或许不是他的本意，也偏离了他的天赋资质。 ps：其实我也一直认为自己是抽象派，而不是务 ...

cmg和乞力马扎罗的雪，搞反激确实很厉害的。虽然没有打过交道，只要看看这二位的帖子就知道是高手。

不亦心

伟林电源 发表于 2019-8-25 15:44 1、R的计算公式确实不是很理想，计算得出值跟实际值有一定的偏差； 2、其实R的取值应该是按照漏感的50 ...

钳位电容的值C=Vsn/ΔV*R*fs

这个公式默认了放电电流为恒流Vsn/R，且整个1/fs都在放电

实际上Vsn不是恒定的，RC放电曲线也不是线性，

也不是整个周期都在放电，Llk*Ipk/（Vsn-Vor）这个时间内，是在充电的

且R本来误差很大，利用这个计算累计误差太大了

用K*ElK = 0.5*C（Vsnmax²-Vsnmin²）来计算直接了当，清爽无比，没有累计误差

Elk是漏感储能，K是漏感能量吸收系数（这个误差去不了）

伟林电源

PowerAnts 发表于 2019-8-25 15:49 为什么要有“如果VOR小了“ ？VOR按MOSFET的耐压来取何来的“小了” ？ 出现&rdq ...

比如说vor最高取值是80v，那么是否在40-80v之间取值都是可以的？还是非要取得最高值80v呢？我说的是这个合理范围内根据实际情况做一定调整。