下拉电阻

aq1261101415

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请问R2的位置直接放在I/O和直接放在三极管的基极和发射极（请忽略集电极的内容，我已经省略了），这有什么区别?有人说是功耗和三极管开关时间不同，这个位置有关系吗？

maychang

我认为R2放在三极管基极与地之间比较好一点。

至于功耗和开关时间，似乎两种接法区别不大。

aq1261101415

maychang 发表于 2019-7-13 10:17 我认为R2放在三极管基极与地之间比较好一点。 至于功耗和开关时间，似乎两种接法区别不大。

为什么你认为R2放在三极管基极与地之间比较好一点，理由呢？

maychang

aq1261101415 发表于 2019-7-13 15:57 为什么你认为R2放在三极管基极与地之间比较好一点，理由呢？

电阻R2目的是在I/O信号源高阻抗情况下，减小三极管基极电流，避免三极管误动作。

三极管是电流控制器件，集电极电流大致上与基极电流成正比。如果没有R2(开路)，那么I/O处电流将全部流入基极。有了R2(接在基极与发射极之间)，则在基极对发射极电压未达一定数值之前，电阻R2比基极输入电阻大很多，I/O处电流大部分流过R2，很少流入基极。只有I/O处电流达到一定数值之后，基极对发射极电压达到发射结开启电压，才有电流流入基极。

如果R2是如首帖那种接法，则该电阻避免误动作的功能大打折扣。

gmchen

电阻接在晶体管be之间好一些。

除了楼上已经说到的理由外，这种接法可以提高一些晶体管的关断速度。原因是：晶体管开关导通时通常总是过驱动的，因此基极会有大量的载流子存储。在输入变化到驱动晶体管截止的瞬间，这些载流子将延缓晶体管进入截止的过程。在晶体管BE之间接入一个电阻，这些载流子可以通过此电阻释放，这样就提高了晶体管的关断速度。

JLennon

gmchen 发表于 2019-7-13 20:02 电阻接在晶体管be之间好一些。 除了楼上已经说到的理由外，这种接法可以提高一些晶体管的关断速度。原因 ...

有道理。