NXP Rapid IoT评测】+4.学习POWER电路的设计思想

chrisrh · 发表于2018-12-31 17:17

NXP Rapid IoT评测】+4.学习POWER电路的设计思想 [复制链接]

本帖最后由 chrisrh 于 2018-12-31 17:16 编辑

在用户手册第三章中介绍了Rapid IoT的硬件架构，主控MCU和各传感器的外围均属常见电路，和常见的开发板相类似。觉得Power部分挺不错的，便学习了一下，以后做相关电路时可以当作参考电路。

用户手册中电源部分的设计框图：

于是电路设计时也是基于这个框图进行分布设计，各部分与框图中一一相应：

关于电池电量检测，先用电阻分压，然后用ADC对BAT_SENS进行采样计算：

并且还可以通过MCU上的I/O控制使能与否。

下面是电源电路中几个芯片的datasheet和典型电路图：

SI1317DL-T1-GE3

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DMG1016V-7

DMG1016V-7.pdf (198.89 KB, 下载次数: 1)

XCL210

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XC8102AA017R-G

XC8102AA017R-G.pdf (355.8 KB, 下载次数: 1)

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chrisrh

使用N-MOS管控制P-MOS管的，当BAT_SENS_EN输出为低时，N管P管均不工作，1和6，3和4均处于断开状态；
当BAT_SENS_EN输出为高时，经过电阻分压，使分得的电压从2脚输入，高于N-MOS管栅极G1的开启电压，N管的漏极D1和源极S1导通，VCC_BAT从6脚流向->1脚，此时DMG1016的5脚电平从高电平被拉至低电平，上部P-MOS管的栅极G2被打开，VCC_BAT从4脚流向->3脚，再通过R24、R25分压后送至BAT_SENS。
从而实现BAT_SENS_EN高电平控制传感器使能，低电平控制传感器关闭。