EEprom写入速度慢

zhuzd

EEprom写入速度慢 [复制链接]

最近在用一款atmel的芯片，他的内部eeprom在第一次写入数据很快，但是后面写入同样位置数据就变得很慢，5K的数据大致要8s左右，感觉不太正常，大家觉得可能是什么原因造成的

tiankai001

你是单字节一个个写入的？还是页写？看程序里面有没有延时

zhuzd

tiankai001 发表于 2018-12-18 08:36
你是单字节一个个写入的？还是页写？看程序里面有没有延时

单字节写入，程序没延时。现在主要是纠结第一次写入快，后面写入慢。

白丁

第二次写的时候把之前写的擦除了吧？

chunyang

编程问题，仔细检查代码，注意比较后面的写入跟前面的写入在细节上有何不同。

zhuzd

白丁 发表于 2018-12-18 11:03
第二次写的时候把之前写的擦除了吧？

他这个芯片操作很奇怪，从代码上看不出执行擦除命令。对于我的操作每次执行只有这2步while (hri_nvmctrl_get_SEESTAT_BUSY_bit(NVMCTRL));//写入数据需要进行忙检测
SmartEEPROM8[jpeg_header_addr+Index] = data[Index];//测试写入是否成功 数据手册里压根没有说关于擦除的说明

白丁

zhuzd 发表于 2018-12-18 14:51
他这个芯片操作很奇怪，从代码上看不出执行擦除命令。对于我的操作每次执行只有这2步while (hri_nvmctrl_ ...

从代码上看不出擦除？那就是没擦除啊，芯片一般情况是没有问题的，怀疑的就是你的代码

白丁

zhuzd 发表于 2018-12-18 14:51
他这个芯片操作很奇怪，从代码上看不出执行擦除命令。对于我的操作每次执行只有这2步while (hri_nvmctrl_ ...

EEPROM手册不可能没有关于擦除的说明

zhuzd

白丁 发表于 2018-12-19 08:24
EEPROM手册不可能没有关于擦除的说明

官方给我解释了，其实就是他内部拿flash模拟的eeprom有问题，不建议一次性写入大数据。后来不用他eeprom.我直接写flash里了