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无线充电方案"XS016+微型IPM构架"简介 [复制链接]

 

          无线充电经过去年的爆发式增长之后,今年开始趋于平缓发展,在目前的qi协议无线充电方案中主要有这么几种构架:MCU+驱动电路+功率电路、MCU+微型IPM构架电路、SoC芯片电路。这些方案各有优势和劣势,今天来简单介绍一下MCU+IPM构架的无线充电方案。


XS016主控+全桥SN-D06 IPM

这种无线充电方案比MCU+驱动的方案外围电路要简洁,效率也会更高,与SoC方案的外围电路接近,但它比那两种的成本要低许多。其中微型IPM集成了驱动电路+功率MOS管+LDO,可有效改善无线充电普遍存在的发热高、效率低、外围电路复杂等问题。

MCU+IPM构架图

这种方案除了少数电阻电容以外,只有两个主要元器件:主控和高集成度的全桥/半桥芯片,其中SN-D06集成了全桥驱动芯片、功率MOS、LDO等。采用SOP16和SOP8封装,更加有利于生产加工,也有利于降低元件成本。

主控+半桥SN-D05 IPM构架

微型IPM部分规格说明

这种构架主要应用于10W/7.5W快速无线充电电路中,会逐渐取代MCU+驱动+MOS方案,而且还具有如下特点:

1、可以实现三星、苹果快充,兼容小米、华为等5W无线充电(部分也可以实现快充);

2、效率高,温度低。手机测试,板子温度在45℃左右;

3、电路构架简单,外围零件少,成本低;

4、电源输入可以支持QC2.0、QC3.0等协议;

实际测试:

我们通过使用无线充电测试器发现,接收端可以达到9V/1.2A的电流,足以满足三星的10W快充了。

测试器测试接收功率

使用专业测试仪器测试一个小时,跟踪记录下测试数据(室内测试,室温23℃,未恒温。):

测试曲线图

总结:全集成的XS016MCU+微型IPM芯片无线充电构架,集成度高,电路元件少,性能稳定,发热低,BOM成本低,是一款非常有竞争力的无线充电方案。


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