类型
| 提问内容
| 答复内容
|
器件基本特性
| 比较关心使用环境温度最高可以达到多少?
| 150
|
器件基本特性
| 工作温度应该不止150.请问最高极限是多少?
| 175没问题
|
器件基本特性
| SiC MOSFET 耐压有1000V 以下 通电阻比较低的吗
| 1200v可以应用
|
器件基本特性
| 1700V的mosfet过流能力怎么样?
| 1A225C
|
器件基本特性
| SiC MOSFET和肖特基二极管功率能达到多大?
| 40A我们目前已经发布
|
器件基本特性
| 静电仍然很容易导致管子损坏么?
| ESD可以到15KV空气放电。所以是
|
器件基本特性
| sic mosfet的导通功率多大?
| SIC MOSFET产品主要看产品的导通电阻,这个决定SIC产品的功率。
|
器件基本特性
| SIC的导通电阻有哪些?
| SIC MOSFET导通电阻有160mohm,120mohm,80mohm,40mohm,25mohm等
|
器件基本特性
| 工作温度范围多少?
| Tj: -55 to 150度
|
器件基本特性
| 是否有半桥或全桥封装?
| 会有的
|
器件基本特性
| 碳化硅二极管是否存在普通双极二极管技术开关时的反向恢复电流?
| 几乎没有,主要是电容引起的
|
器件基本特性
| SiC管子功耗怎样?发不发热
| 发热。高频开关时功耗小
|
器件基本特性
| Littelfuse的SiC MOSFET短路耐受时间大概是多少,可靠性有那些优势?
| 可以参考规格书上的Ids vs pulse duration
|
器件基本特性
| sic频率可以达到多高?
| 可以达到200kHz以上
|
器件基本特性
| 力特的SiC MOSFET封装结构有几种?
| 封装形式有TO-247-3L,TO-263-7L,TO-247-4L等
|
器件基本特性
| sic mosfet的温度特性怎么样?
| 工作温度可以到150C,电气性能保持不变
|
器件基本特性
| 功耗如何,这个很重要,低功耗应用下
| 开关功耗更小
|
器件基本特性
| SiC开关性能和效率比传统的硅基提高多少?
| 开关性能可以到200KHz
|
器件基本特性
| mosfet管温度如何
| 我们目前是150‘C,高温可以到达170’C
|
器件基本特性
| 肖特基二极管有哪些封装形式?
| 有TO-220-2L,TO-252-2L,TO-263-2L等
|
器件基本特性
| SIC moset管 NPN的 GS最大电压是多少?需要负压关断吗?
| 有负压关断最好
|
器件基本特性
| 碳化硅的MOS的电压最大可以做到多少?
| 目前1700V, 以后会做更高.
|
器件基本特性
| Littelfuse SIC MOSFET 电流能达么多大
| 目前25A@100C 80毫欧的
|
器件基本特性
| SiC MOSFET目前最大功率?
| 目前量产的, 80, 120, 160 毫欧, 很快有40, 25 毫欧.
|
应用疑问解答
| SIC MOSSET管 并联, GS使用同样的驱动 ,要怎么样才能实现比较理想的均流呢?就是流过每个管子的DS 电流均衡
| layout很重要,同时尽量使Rdson尽量一致。
|
应用疑问解答
| 如何减少驱动环路的电感?
| SiC MOSFET的驱动电感会小
|
应用疑问解答
| SIC技术现在发展到什么程度了.能用于产品了么?
| SIC 现在有很多成熟的应用了,包括汽车,电机驱动,等
|
应用疑问解答
| 碳化硅二极管导通电压与什么有关
| VGS(门级驱动电压)
|
应用疑问解答
| SIC mosfet串联一般怎么处理的?
| 串联,独立驱动
|
应用疑问解答
| 应用领域有哪些?
| 主要有新能源车的OBC和工业的inverter。
|
应用疑问解答
| 用SiC MOSFET管设计的话,怎么避免上下桥直通的情况?我们用IGBT管,老是烧管子,你们是怎么解决的?
| 主要采用好的驱动芯片,里面MOSFET的退保和参数,最快可以到达1us
|
应用疑问解答
| 是否有推荐的驱动电路?
| 力特有推荐的SIC MOSFET驱动电路。
|
应用疑问解答
| sic mosfet主要用作开关还是功率控制?
| 功率
|
应用疑问解答
| 请问讲解的SiC应用都是大功率的电路,支持的最小功率为多少?
| 功率越大,优势才明显
|
应用疑问解答
| 肖特基二极管 可以做整流桥吗?最高反向电压是多少?
| 可以
|
应用疑问解答
| 需要单独配置散热器铝片?
| 可以
|
应用疑问解答
| 肖特基二极管用在什么地方
| 可以用于PFC,整流桥,续流,整流输出等。
|
应用疑问解答
| 用在变频器上可以吗
| 可以用于变频器应用。
|
应用疑问解答
| 碳化硅的使用是否可以在高频转换器应用?
| 可以的。
|
应用疑问解答
| 用在高平开关,最高的频率可以达到多少?
| 可以达到200kHz以上。
|
应用疑问解答
| 可靠性如何,因为应用到汽车、工业等可靠性要求非常高
| 可高性很高,目前最大的应用是在汽车里面 .
|
应用疑问解答
| 管子的驱动方式和一般的IGBT驱动有什么区别
| 基本驱动方式一样
|
应用疑问解答
| 散热片是功率器件必须的装置,尤其在大功率情况下,有些场合还需要加散热风扇,选用SiC MOSFET器件需要外加散热风扇吗?
| 大功率的需要加散热设备。
|
应用疑问解答
| 开关频率高一般会引起干扰和输出噪声大,有何抑制方法?
| 布板需要考量
|
应用疑问解答
| MOSFET使用在额定负载的60%是否会产生很大的热效应?必须通过增加散热设计?
| 建议增加散热设计。
|
应用疑问解答
| 用SiC MOSFET管设计的话,怎么避免上下桥直通的情况?
| 开尔文 源极了解一下
|
应用疑问解答
| 这个可以用在高频开关上面吗?
| 当然你可以,就是适合高频应用,200kHz 没有问题
|
应用疑问解答
| 高压大电流是否可以替代IGBT
| 必须的
|
应用疑问解答
| SiC MOSFET的米勒效应如何解决?
| 抑制或者gate端防护
|
应用疑问解答
| 力特SIC MOSTET可以用于汽车电子产品吗?有过AEC-Q200认证吗?
| 明年中AECQ-200认证完成
|
应用疑问解答
| 碳化硅有没有体二极管一说呢?
| 有
|
应用疑问解答
| MOS管的驱动电路如何设计
| 根据SiC MOSFE Vgs的推荐参数。驱动电路建议有隔离会好
|
应用疑问解答
| 在BUCK电路中,选择SiC MOSFET作为开关管,主推哪种类型的?
| 根据你的工作奥求。
|
应用疑问解答
| 如果使用米勒钳位,可不可不用负压驱动?
| 根据频率和电路板的布局而定,我们支持0-20V驱动
|
应用疑问解答
| SiC MOSFE Vgs的正负电压如何理解呀
| 正表示驱动导通;负表示常闭到常开转换电压
|
应用疑问解答
| 有什么行业需要碳化硅二极管,并且量大的
| 电动汽车是一个需求量很大的行业。
|
应用疑问解答
| SiC在低压小功率电源应用中有优势吗?
| 电压,功率越低, 优势越不明显 .
|
应用疑问解答
| 应用前景如何
| 目前SIC 的产品应用范围很广,设计工业,新能源汽车,储能,光伏等
|
应用疑问解答
| 齐纳二极管和肖特基二极管都是稳压管吗
| 肖特基管不是稳压管。
|
应用疑问解答
| 软关断和硬关断时什么区别?哪一种更安全高效?
| 软关断过冲小。
|
应用疑问解答
| 碳化硅开关过程中电压过冲是不是会减少?
| 还是会有,但是sIc有更强的抗冲击能力
|
应用疑问解答
| SiC-MOSFET 如何用于AC DC?
| 这个具体要看您采用的电路拓扑。
|
应用疑问解答
| igbt改成sic的驱动电路需要重新设计吗?
| 需要重新设计。
|
应用疑问解答
| 在通信线路上的防雷保护,在不影响高速信号传输的情况下,选用那种类型的二极管的分布电容少点?
| 高速端口防雷,建议gdt或者TSS
|
找产品
| 电流是否有100a的型号?
| 25毫欧的大概可以做到90A.
|
找产品
| SiC有没有高压体积小的TVS和稳压管
| 力特也在研究高压SIC TVS。
|
找产品
| SiC有没有1700V的应用
| 力特已经有1700V的SIC MOSFET了。
|
找产品
| 650V碳化硅二极管/SiC二极管有哪些型号参数?
| 力特目前有1200V的SIC产品,马上会推出650V的SIC产品。
|
找产品
| 有四个肖特基二极管封装在一起的产品吗?
| 力特目前没有此封装。
|
找产品
| 汽车领域,防止灵敏的汽车电路因闪电和其他瞬态电压现象引起的瞬态高压而损坏,Littelfuse碳化硅肖特基二极管有这方面的产品推荐下么?
| 建议选用Littelfuse 的 TVS 管.
|
找产品
| 1200v的SiC MOSFET有推荐吗?
| 我们有1200V 80 160 毫欧的产品
|
找产品
| 英飞凌SiC碳化硅二极管选型 有替换的嘛?
| 有的,我们的产品型号更多一点,具体需要参数比对
|
找产品
| 50A的碳化硅模块是不是可以替换150A的硅模块呢?
| 理论上可以
|
找产品
| 目前碳化硅(SiC) MOSFET性能如何,Littelfuse有IPM module产品吗
| 目前没有IPM,以后的方向
|
找产品
| 力特有配合保护碳化硅器件的熔丝吗?如何选择?
| 短路保护的蛮难选。因为SiC MOSFET动作快
|
找资料
| 有参考手册和方案么?
| 上力特的网站可以查阅有关SIC MOSFET的设计参考方案和demo board的手册。
|
比较
| 在应用设计时,选择SiC MOSFET与IGBT上有何区别?
| 20KHz以上 SiC MOSFET
|
比较
| 氮化镓的MOS和sic的mos在性能上和选择上有什么不同?
| GaN650V的。SIC MOSFET可以到1700V
|
比较
| GaN和SiC各自的优势是什么??
| SiC:1200v以上;GaN:650V
|
比较
| 碳化硅的抗雪崩能量的能力怎么样?和传统MOS相比?
| LF SiC MOS 80mohm,典型值0.85J
|
比较
| SiC 在开关速度上与传统MOS相比有无差别,导通损耗和传统MOS相比如何呢?
| SiC 开关速到可以到200KHz
|
比较
| mos管和肖特基二极管 有什么区别?
| MOS功率开关管;SBD:快恢复二极管
|
比较
| SiC mosfet和普通的mosfet相比有哪些优缺点,价格如何
| SIC可以做到更高的电压,更高的频率,更高的功率密度,目前和普通SI的产品比就是价格还稍贵。
|
比较
| 相比硅双极二极管,切换损耗上有什么区别?
| SIC的损耗极低,大约是以前的1、5
|
比较
| 优势和价格是什么
| 优势: 效率和功率密度高. 提高产品可靠性;价格: 单体价格比Si 高. 到总体设计价格略高,或相近.
|
比较
| Littelfuse碳化硅肖特基二极管比标准的硅双极功率二极管产品设计上 有 哪些优势?
| 反向恢复时间几乎为零。电源纹波几乎无
|
比较
| 和传统MOSFET相比,SiC有什么需要注意的地方吗?
| 因为SIC MOSFET的频率较高,对于layout的问题要很重视,尽量减少干扰。
|
比较
| SiC MOS的驱动和普通MOSFET相比较,驱动方式或者驱动线有没有特殊的要求呢?
| 因为开关频率高,注意gate EMI问题
|
比较
| SiC-MOSFET与其他功率晶体管相比,优势在哪里
| 开关瓶率高,开关功耗更小
|
比较
| SiC MOSFET有哪些特点及优势?
| 开关速度快。开关损耗更小。高频工作状况下效率更高
|
购买
| 力特在长三角这边有哪些大的代理啊
| 大的代理商:Arrow,Future等,更多的请查阅力特的官网,上面都有详细资料。
|
购买
| SiC MOSFET的价格?是否进入量产?铺货量?可靠性实验报告可以查阅了吗?
| 已量产出货
|
购买
| 我需要技术支持及样品,如何联系力特相关部分?
| 找力特代理
|
购买
| 目前Littelfuse 保险丝我司ODM客人指定专用,质量非常好,Littelfuse碳化硅MOSFET 和肖基特二极管一级代理商是否有样片提供?
| 是的, 可以联系代理商索取.
|
购买
| 请问Littelfuse碳化硅(SiC)MOS管一级代理商是否已经量产供货。
| 目前力特的SIC MOSFET和SIC diode已经在一级代理商出货了,不过订货周期较长,请提前订货。
|
购买
| 可以在哪购买?
| 联系当地的代理商.
|
闲聊
| 优点很明显啊,就看定价啊。价格合适就是整个功率业界的革命啊
| 您说的非常正确,SIC的优势非常明显。
|
闲聊
| 碳化硅(SiC) 是力特独家的么
| 在SIC领域,力特是其中重要的供应商之一。
|
闲聊
| SIC用在DC-AC蛮多的
| 是的, AC-DC, DC-DC 都有.
|
闲聊
| 力特是国产品牌还是合资品牌?
| 美资
|