电路疑问，请教各路大神

huangwu

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下面两张原理图是不同地方找到的，有两个疑问，特来请教各位。
1，其中两张图中都是用了MOS管防反。但是这两种电路中MOS管的接法却是相反的。
有点想不明白，这样能起到防反作用吗（还要考虑到MOS体二极管）？哪位大神解释一下？谢谢。
2，图1中DCDC输入端并联了一个1M的电阻，请问什么作用？

qwqwqw2088

上下两个图的防反电路都是用PMOS，连接在电源的正极是对的，正常时栅极为低电平，PMOS的导通，形成回路。PMOS的正常导通是S进D出，如接反电路中时则正好相反，则不导通
但第2个图的P型管DS极好像是放反了。
如果用N型要接在电源地端

qwqwqw2088

中间的图tps62745电路，那个1M欧电阻有点多余，可以去掉，有可能是想起到防静电用，，，

maychang

两图均使用P沟MOS管，并且是在电池正端控制，这是对的。
防电池反接，其要求是：电池正接，MOS管必须能够导通，由于MOS导通电阻相当小，故MOS管上压降很小，可以忽略。电池反接，MOS管(包括体内二极管)不允许导通，以保护用电设备。

huangwu

qwqwqw2088 发表于 2018-11-18 10:20
上下两个图的防反电路都是用PMOS，连接在电源的正极是对的，正常时栅极为低电平，PMOS的导通，形成回路。PM ...

谢谢你的回答！
怎么导通好理解，但是MOS有体二极管，图1中好像起不到防反作用。
图2是TI官网上的一份参考设计，照理也不会有错误，可能有什么隐晦的作用？没明白。。。。

maychang

第一幅图，未画出MOS管体内二极管。该管体内二极管应该为左边是二极管负端。电池正常接入时该二极管不会导通。但电池反接时该二极管导通，电池电压会反向接到用电设备上，这就违背了防反接的初衷。

huangwu

maychang 发表于 2018-11-18 10:47
第一幅图，未画出MOS管体内二极管。该管体内二极管应该为左边是二极管负端。电池正常接入时该二极管不会导 ...

谢谢你的回答！
对了，应该就是这样的，看图中说是reverse current，我老是想着防止电流反灌。从防止电池反接考虑，确实图1是有问题的，而图2是正确的。谢谢你啦！

mounthill

1. 两张图的mos接发是一样的，只是电池分别画在了两侧
2. 1M这里没看出有什么作用

maychang

mounthill 发表于 2018-11-18 11:22
1. 两张图的mos接发是一样的，只是电池分别画在了两侧
2. 1M这里没看出有什么作用

1. 两张图的mos接法是一样的，只是电池分别画在了两侧

两图电池都是在左边吧？
第一幅图，电池正端接P沟MOS管源极。第二幅图，电池正端接P沟MOS管漏极。

mounthill

maychang 发表于 2018-11-18 12:28
1. 两张图的mos接发是一样的，只是电池分别画在了两侧

两图电池都是在左边吧？
第一幅图，电池正端接 ...

大意了，主要差别在于mos管的类型：

绝缘栅场效应三极管分为：

耗尽型→N沟道、P沟道

增强型→N沟道、P沟道

（1）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构

N沟道耗尽型的结构和符号如下图（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS》0时，将使ID进一步增加。VGS《0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS （off）表示，有时也用VP表示。

N沟道耗尽型的转移特性曲线如下图（b）所示。

（a） 结构示意图 （b） 转移特性曲线

（2）N沟道增强型绝缘栅场效应管结构

N沟道增强型绝缘栅场效应管，结构与耗尽型类似。但当VGS=0 V时，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时，若VGS》VGS （th）时，形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS》VGS （th）后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。

VGS（th）——开启电压或阀电压;

（3）P沟道增强型和耗尽型MOSFET

P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。

3 场效应管伏安特性曲线

场效应管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。如果按统一规定的正方向，特性曲线就要画在不同的象限。为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定。有关曲线绘于下图之中。

4.各种场效应管特性比较

（a） 转移特性曲线 （b） 输出特性曲线

maychang

mounthill 发表于 2018-11-19 10:52
大意了，主要差别在于mos管的类型：
绝缘栅场效应三极管分为：耗尽型→N沟道、P沟道增强型→N沟道、P沟 ...

楼主使用的两支功率MOS管，必是P沟，而且必是增强型，别无它选，想买耗尽型都买不到。

mounthill

maychang 发表于 2018-11-19 11:36
楼主使用的两支功率MOS管，必是P沟，而且必是增强型，别无它选，想买耗尽型都买不到。

单从原理图symbol来看，肯定是不同的

mounthill

单从原理图symbol来看，肯定是不同的

huangwu

maychang 发表于 2018-11-19 11:36
楼主使用的两支功率MOS管，必是P沟，而且必是增强型，别无它选，想买耗尽型都买不到。

是的，就是常用的PMOS。

huangwu

mounthill 发表于 2018-11-19 11:44
单从原理图symbol来看，肯定是不同的

原理图是不同地方看到的，就是画原理图封装风格不同而已吧。都是常用的PMOS。