影响MOSFET管温度上升的相关因素

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影响MOSFET管温度上升的相关因素 [复制链接]

三极管有三个工作区：截止区、放大区和饱和区，而MOSFET对应的是关断区、饱和区和线性区。MOSFET线性区也叫三极区或可变电阻区，在这个区域，MOSFET基本上完全导通。

   漏源间的导通电阻RDS(on)

   MOSFET在导通时漏源之间的电阻并不为零，当有漏极电流I。流过时就会产生导通损耗Pon。当导通损耗Pon超过管子的PDMAx时MOSFET就会因功耗过大而损坏。

   在MOSFET的数据表中，通常可以找到它的典型的传输特性。注意到25℃和175℃两条曲线有一个交点，此交点对应着相应的VGS电压和ID电流值。若称这个交点的VGS为转折电压，可以看到：在VGS转折电压的左下部分曲线，VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越大，温度和电流形成正反馈，即MOSFET的RDS(ON)为负温度系数，可以将这个区域称为RDS(ON)的负温度系数区域。

   半导体内部与外部的温度差由热阻决定。结与外壳间的热阻为R，外壳与散热片之间的热阻为R，结（芯片）与周围环境的热阻为R衄^。对IRFP31N50LP6F来说R的最大值为0.26℃/W，即损耗1W功率温度上升0.26℃。R的标准值为0.24℃/W，R的最大值为40'C/W。

   在功率MOSFET的内部，由许多单元，即小的MOSFET晶胞并联组成,在单位的面积上，并联的MOSFET晶胞越多，MOSFET的导通电阻RDS(ON)就越小。同样的，晶元的面积越大，那么生产的MOSFET晶胞也就越多，MOSFET的导通电阻RDS(ON)也就越小。所有单元的G极和S极由内部金属导体连接汇集在晶元的某一个位置，然后由导线引出到管脚，这样G极在晶元汇集处为参考点，其到各个晶胞单元的电阻并不完全一致，离汇集点越远的单元，G极的等效串联电阻就越大。

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