4273|2

69

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(高级)

楼主
 

关于ARM用存储器和内存的问题 [复制链接]

本人比较菜,刚开始接触ARM。想咨询有关存储和内存的问题。

首先是存储的问题,以前用51一般都用eeprom和SD或者CF卡。在ARM应用上发现多了很多NOR flash、NAND flash,还有的公司简称电子硬盘以及串行flash(都不知道具体指什么flash?)。不知道他们和eeprom比较有何不一样?我的理解是这些flash起码可以存文件。不知道读写寿命有何差别?请高人指点,如果一分钟存一条数据到存储器(文件形式),用什么存储器比较好(听说用sd卡频繁地写不太好)?

 

另外是关于内存的问题,如果算法需要比较大内存消耗,片载SRAM肯定是不够的,可以通过SDRAM扩展内存,在这个板上问问题就是知道LM3S的EPI能方便扩展SDRAM。问题是只要设置好EPI以及编写好SDRAM的驱动后,就可以像SRAM一样使用内存?不再区分片外片内内存了?

最新回复

顶,求解答。  详情 回复 发表于 2011-3-16 12:46
 
点赞 关注

回复
举报

2804

帖子

0

TA的资源

五彩晶圆(初级)

沙发
 
NOR flash  擦写10W次左右 像电脑的内错
NAND flash  擦写 100W此左右  像电脑硬盘
 
个人签名QQ:1625345502
 

回复

918

帖子

0

TA的资源

纯净的硅(中级)

板凳
 

回复 楼主 heich_tech 的帖子

顶,求解答。
 
 
 

回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

随便看看
查找数据手册?

EEWorld Datasheet 技术支持

相关文章 更多>>
关闭
站长推荐上一条 1/9 下一条

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2025 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
快速回复 返回顶部 返回列表