使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率
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图 1:共源电感会产生瞬态栅极电压,从而降低开关电流速度
图 2:TO-247 封装的第 4 个引脚可提供至源极的开尔文连接

图 3:隔离的变压器栅极驱动
碳化硅(SiC)等宽带隙器件具有高功率密度的优势,但使用低热阻封装(如TO-247)时会导致较高的电感问题。然而,通过谨慎使用开尔文连接技术,可以解决这个电感问题。开尔文连接是一种将测量电压的线路和载流路径分开的方法,通过将驱动回路尽可能靠近器件晶粒的源连接,控制引脚电感对栅极偏置电压的影响。使用开尔文连接可以使宽带隙器件以其真实的开关速度运行,无需使用栅极负电压,从而提高效率和简化驱动电路。在使用TO-247封装时,可以通过增加第四个引脚来实现开尔文连接。然而,在实际应用中,需要注意处理器件引脚电感和栅极驱动回路中的电感,可以采用缓冲电路和小心部署栅极驱动回路来解决这些问题。另外,通过隔离器件使用光耦合器或变压器,可以解决连接至系统0V电压的问题。总而言之,使用开尔文连接技术可以克服碳化硅等宽带隙器件的电感问题,发挥其优势,提高开关速度和效率。
"解密碳化硅器件的电感问题:如何谨慎运用开尔文连接技术"
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