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MOS管温升、LDO的温升怎样计算才是最合理 [复制链接]

MOS管温升、LDO的温升怎样计算才是最合理

 

1.MOS管温升怎样计算才是最合理,一般的,温升=环境温度+热阻*功率,,请问这样计算出来的温升是否正确?是否需要考虑管芯到散热片到空气之间的热阻。具体如何计算

 

 

2.LDO的温升=环境温度+热阻*(输入-输出)*负载电流

 

以上是否正确,如有错误,请指正

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你知道温升    直到运用场景的环境温度   保证器件的温度在运行范围内  当然你有条件降低1°温度也是对产品的可靠性增加寿命周期 是可以的额   详情 回复 发表于 2021-7-1 07:46
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沙发
 

个人偏见    环境温度是指你所用的应用环境  不算散热片到空气之间的热阻  自身的功耗应该是可以满足评估标准的  按照这个标准可以留意余量 

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版主  这个方法+   一定的余量是可以的  对吗  详情 回复 发表于 2021-6-30 15:25
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btty038 发表于 2021-6-24 22:36 个人偏见    环境温度是指你所用的应用环境  不算散热片到空气之间的热阻  自身的功耗 ...

版主  这个方法+   一定的余量是可以的  对吗

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你知道温升    直到运用场景的环境温度   保证器件的温度在运行范围内  当然你有条件降低1°温度也是对产品的可靠性增加寿命周期 是可以的额  详情 回复 发表于 2021-7-1 07:46
 
 
 

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QWE4562009 发表于 2021-6-30 15:25 版主  这个方法+   一定的余量是可以的  对吗

你知道温升    直到运用场景的环境温度   保证器件的温度在运行范围内  当然你有条件降低1°温度也是对产品的可靠性增加寿命周期

是可以的额

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