MOSFET的发明人－－马丁•阿塔拉（Martin M. "John" Atalla）博士

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MOSFET的发明人－－马丁•阿塔拉（Martin M. "John" Atalla）博士 [复制链接]

MOSFET宣告了电子技术的统治地位，并且支撑了当今信息社会的基石——大规模集成电路（LSIs）。

——Wikipedia
马丁•阿塔拉（Martin M. "John" Atalla(1924.08.04 - )）博士在两个截然的领域内同时受人尊敬。他是MOS场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）的发明人之一，又被尊称为个人身份号码系统PIN（Personal Identification Number）之父。阿塔拉博士出生在埃及塞得港（Port Said），之后赴美留学。1949年从普度（Purdue）拿到博士学位后，阿塔拉进入贝尔实验室（Bell Laboratories）研究半导体材料的表面特性。通过在硅片晶圆（Wafer）上培养出二氧化硅表层，他终于找到了帮助电流摆脱电子陷阱和散射（electron trapping and scattering）的方法。后人称之为表面钝化（surface passivation）的这项技术，因其低成本和易生产，而成为硅集成电路发展史上的里程碑。
其后，阿塔拉博士建议在场效应晶体管（于19世纪20年代被构想，并于40年代被实验验证，却远非完美的产物）表面运用金属氧化物（metal-oxide-semiconductor）。他把这项任务指派给了组内的韩裔科学家江大原（Dawon Kahng），并一起在1960年的某次学术会议上宣布了他们的成果。
离开贝尔实验室后，阿塔拉博士又曾先后为惠普和仙童半导体工作。1973年，他离开半导体业，创建了自己的公司阿塔拉（Atalla Corporation），专为银行和金融系统提供系统安全方面的解决方案。他发明的后人称之为阿塔拉盒（Atalla Box）的技术，至今仍被世界上80%的自动柜员机使用。与此同时，他发明的个人身份号码系统，亦成为银行业关于身份认证的基本标准。
现在，阿塔拉博士是A4系统公司（A4 System）的主席，并先后被评为普度大学2002年度工程杰出人物（Distinguished Engineering Alumnus），和美国发明家名人堂2009年度集成电路殿像（Honors Sultans Of Silicon）。
参考资料
1、The National Inventors Hall of Fame™ Purdue Honorary Degree
2、 www.wikipedia.org
美国发明家名人堂（the National Inventors Hall of Fame）背景知识
为了纪念Jack S. Kilby （前德州仪器科学家，2000年荣获诺贝尔物理学奖，2005年在美国达拉斯因癌症逝世，享年81岁）和Robert Noyce（前飞兆半导体科学家，1959年申请IC专利，1990年逝世）发明集成电路（Integrated Circuit）50周年，美国发明家名人堂（the National Inventors Hall of Fame）将2009年的所有15项大奖，全部颁给了集成电路界的先驱们，并在历史上首次举办的硅谷狂欢庆典上，授予了前Intel总裁安迪•葛洛夫（Andy Grove）终生成就奖（Lifetime Achievement Award）。