半导体浪涌过压保护方式简介

七月七日晴

半导体浪涌过压保护方式简介 [复制链接]

从保护模式看，主要有以下二种：

一、可控硅模式：

1.   特点：

   ① 该类器件在其动作后具有较低的导通阻抗、导通残压低，对电路可取到更有效的保护作用。

② 由于其有持续电流IH的要求，因此该类器件仅适合于传输电流小于器件持续电流的电路（一般要求小于100毫安）。

③ 功率大，瞬态抑制电流从几十安到几百安，完全可以满足K20/K21的标准要求。

2.   主要应用：SLIC、ISDN、ADSL、T1/E1、485等通讯端口的过压保护。

二、钳位方式：

TVS钳位可以不用过多考虑电路中电流的情况，但从钳位效果看，其钳位残压要比可控硅模式高，其功率一般不会太大普遍用于小功率电源口的防浪涌及各类电器接口的静电防护。

①用于VCC保护的TVS。

②用于静电（ESD）防护的TVS，其与压敏电阻比有两个绝对的优势：a、反应速度比后者快，b、动作精度（何时动作）比后者高。

wangjiafu1985

只不过一般浪涌抑制器体积都比较大。

lzcqust

顺便解释几个名词：ESD,TVS
ESD:ESD的意思是“静电释放”的意思，它是英文：Electro-Static discharge 的缩写，即"静电放电"的意思。ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为“ESD”，中文名称为静电阻抗器。
TVS:瞬态抑制二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。
添加图片做为说明（注：浪涌保护器和TVS的外形并非仅此一类）：


[ 本帖最后由 lzcqust 于 2010-1-30 20:23 编辑 ]