DSP系统应用中FLASH在线编程方法

水牛

DSP系统应用中FLASH在线编程方法 [复制链接]

介绍了在TI公司TMS320VC33 DSP应用系统中，通过JTAG口对DSP外部FLASH存储器实现在线编程的方法，给出了DSP系统加电后的自动装载运行。
关键词：DSP JTAG FLASH存储器 在线编程 Bootload

FLASH存储器是一种高密度、非易失性的电可擦写存储器，存储量大，使用方便，适用于低功耗、高性能的系统。在高速DSP应用系统中，为了充分发挥DSP性能，在加电后需要将用户代码装载到高速RAM存储器中运行。下面介绍 SST29LE020型FLASH存储器的烧写方法，以及如何实现TMS320VC33上电后用户程序的自举引导（Bootload）。
1 SST29LE020的特点及操作
SST29LE020是SST公司生产的一种256K×8FLASH，它有10万次以上的擦写寿命，其内部分为2048个页面，每个页面128字节，页面写周期为5ms。如果页面中一个数据需要改变，则这个分区的所有数据必须重新装入。(The SST29LE020 are 256K x8 CMOS Page-Write EEPROM manufactured with SST's proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The SST29LE020 write with a single power supply. Internal Erase/Program is transparent to the user. The SST29LE020 conform to JEDEC stan­dard pinouts for byte-wide memories.)

FLASH支持软件数据保护功能（Software Data Protection），当执行三字节DSP写指令时，保护功能将自动加上，任何后续的写操作必须带上三字节DSP写指令。

SST29LE020的读操作与传统EPROM读操作一致；在进行数据编程操作时，它支持内部定时(Internal Timer)、数据查询（Data#Polling）、跳变位（Toggle Bit）三种方式，以测试内部编程操作是否完成。FLASH软件擦除指令为6字节加载指令，该指令执行后，最多等待20ms整个芯片便被擦除，即将 FLASH每个数据位都恢复为1状态的全FF状态。

SST29LE020软件指令序列可在SST公司的数据手册上查到，在FLASH编程之前，需对FLASH进行擦除，擦除操作需要六个总线周期。

FLASH页面写操作在使用内部定时方式时的流程。

2 TMS320VC33简介

TMS320VC33是美国TI公司推出的TMS320C3X系列的32位浮点数字信号处理器，它是在TMS320C31浮点DSP的基础上开发的一个价格更低的DSP，该产品具有高速、低功耗、低成本、易于开发等显著优点。 TMS320VC33采用内部1.8V，外部3.3V供电，因而它的功耗比原有型号TMS320C31的功耗降低了大约一个整量级，而且能支持高达 150M/FLOPS的运行速率。其主要特性如下：

CPU是32bit的高性能CPU：可进行16/32b整数和32/40b的浮点操作；内含8个扩展精度寄存器；有2个地址发生器、8个辅助寄存器和2个辅助寄存器算术单元（ARAU）。

片内存储器为32bit指令字、24bit地址线、34K×32b（1.1Mb）的双静态RAM。

外围接口具有启动程序装载功能；内含5倍频的锁相环（PLL）时钟发生器；片内存储器可映射外设，其中包括一个串行口、两个32bit定时器和一个DMA；具有四个内部译码页选，可大大简化TMS320VC33与I/O及存储器的接口。

3 TMS320VC33程序引导功能

TMS320VC33具有两种存储器映射方式，即MP（Microprocessor Mode）方式和MC/BL（Microcomputer/Bootloader Mode）方式，两种方式下中断向量的位置不同。常用的是MC方式。在该方式下，MCBL/MP引脚接高电平，内部ROM被映射到000～FFF之间。这段ROM中今有器件生产厂家固化的引导程序（BootLoader），该引导程序可以将DSP实时运行的程序和数据从外部低速ROM或串行口装入到高速 RAM中。

TMS320VC33复位后即运行内部固化的引导程序，引导程序通过查询四个中断引脚来确定装入方式。这些引脚为低电平有效，查询顺序依次为INT3、INT0、INT1、INT2；当INT3有效时，为串行装入方式；当INT0有效时，从外部地址0x001000处装入（BOOT1）；当INT1有效时，从外部地址0x400000处装入（BOOT2）；当INT2有效时，从外部地址 0xfff000处装入（BOOT3）。

TMS320VC33具有四个快速页选信号，用于对外部地址空间寻址。

使用外部存储器装入数据时，外部存储器数据头位置需包含以下信息：
（1） 外部存储器宽度（8/16/32位）；
（2） 程序代码块的长度；
（3） 装入数据的目的起始地址；
（4） 存储器访问的定时控制参数。

头信息之间是用户的程序代码，程序代码按低位在前、高位在后的顺序排列。程序代码之后，必须有一个全零字，即0x00000000，用以指示引导程序用户程序代码已结束。引导完成后，即从装入的目的地址处开始执行用户程序。

4 FLASH在线编程方法

TMS320VC33的调试使用CC for C3x/4X(Code COmposer)集成编程环境，通过JTAG头仿真用户板，用户代码先放在外部RAM中调试，调试成功后，就可以将用户程序代码写入FLASH了。下面介绍在并行装入BOOT2方式下的在线编程方法。

SST29LE020与TMS320VC33的连接方式比较简单，FLASH片选CE引脚直接连接至TMS320VC33的PAGE1引脚；FLASH的输出使能OE引脚的最简单的处理方法是采用跳线方式（当向FLASH写入数据时，接高电平；通常情况下，接地）。

在调试用户程序时，需根据用户板的存储器空间分配制作CMD文件，假设用户扩展的外部RAM为32bit，起始地址为0x00c00000，长度为32K；外部FLASH起始地址为0x00400000（使用BOOT2方式），长度为256K。其CMD文件如下：

水牛

MEMORY { INTRAM1：origin=0x00800000,length=0x00008000 INTRAM2:origin=0x00809800,length=0x000007c1 VEC:origin=0x00809fc1,length=0x3f EXTRAM:origin=0x00c00000,length=0x00008000/*32k*/ FLASH:origin=0x00400000,length=0x00040000/*256*/ } SECTIONS {/*用户程序代码及初始化数据放在外部RAM*/
代码有问题，上图了


[ 本帖最后由 水牛 于 2010-1-25 10:37 编辑 ]

wangjiafu1985

看了一下上面的东西，:o 指的是：O