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芯片漏电分析手段被误导了很多年 [复制链接]

激光诱导定位系统

一提到IC漏电定位大家都认为只有OBIRCH,甚至现在可笑的是认为OBIRCH是一种设备的名称。今天小编给大家普及一下这方面的知识。

OBIRCH其实只是一种技术,是早年日本NEC发明并申请了li。它的原理是:给IC加上电压,使其内部有微小电流流过,同时在芯片表面用激光进行扫描。

激光扫描的同时,对微小电流进行监测,当激光扫到某个位置,电流发生较大变化,设备对这个点进行标记,也就是说这个位置即为失效点。

TIVA是美国人和NEC同期发明的li,和OBIRCH同等的技术,现在美国半导体产业一直在用。TIVA的原理是:给IC加上一个微小电流流过,同时在芯片表面用激光进行扫描。激光扫描的同时,对IC两端电压进行监测,当激光扫到某个位置,电压发生较大变化,设备对这个点进行标记,也就是说这个位置即为失效点。

OBIRCH是加电压监测电流变化,TIVA是加电流监测电压变化。总之反应出来的都是IC内部阻抗的变化。简单讲就是激光扫描到某点引起了阻抗的明显变化,这个位置就是失效点。新加坡也有一种技术VBA(加电压监测电压变化)也是同理。

再次提醒各位,OBIRCHTIVAVBA都不是设备名称,只是一种技术而已。这台设备的准确名称叫激光诱导定位系统。

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激光诱导定位可以测试芯片漏电,,电流发生较大变化就能判断这个地方失效点?   详情 回复 发表于 2018-8-30 14:55
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沙发
 
激光诱导定位可以测试芯片漏电,,电流发生较大变化就能判断这个地方失效点?
 
 
 

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qwqwqw2088 发表于 2018-8-30 14:55
激光诱导定位可以测试芯片漏电,,电流发生较大变化就能判断这个地方失效点?

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