经30年左右的研究开发,MMIC已经实用化。其发展趋势有以下几方面:
(a)采用更为先进的材料生产技术,广泛应用异质结构双极晶体管(HBT)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。几乎所有的金属-半导体场效应晶体管(MESFET)和HEMT材料都用MBE技术生长,大部分HBT材料也由MBE生长,只有小部分由MOCVD技术生长,而且电路大都采用HEMT和HBT。HBT、HEMT等器件的进一步改进,已在100GHz以及更高频率获得良好的增益、效率、噪声及输出功率。现在生产的主流技术是全离子注入工艺和细栅条工艺,并用标准生产线生产。全离子注入工艺的应用对提高电路性能,提高芯片的可靠性及成品率有很大作用。为了进一步提高器件、电路性能,栅条做得越来越细。
(b) MMIC的 CAD技术继续发展,并发展成“混合信号设计”。目前GaAs MMIC的CAD已经逐渐成熟,减少设计风险率是设计追求的目标,经过这些年的努力,用计算机辅助设计距离一次设计成功的目标已为时不远了。另有专家预言,下一代GaAs MMIC将要发展到“混合信号设计”,即把模拟、微波和数字诸功能集成在同一芯片上。 (c) MMIC重点在于系统集成。经过多年的研究开发,已将重点转向系统集成,其中主要涉及T/R组件、高速光通信系统、一点对多点的通信系统、卫星通信系统等。
(d) MMIC向商用(民用)转移。随着MMIC的工艺技术改进,成本降低以及世界格局的变化,MMIC向民用转移的比例逐年增高。
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