半导体三极管

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一：三极管的结构及类型
通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。按PN结的组合方式有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和符号图分别为：如图（1）、（2）所示
不管是什麽样的三极管，它们均包含三个区：发射区，基区，集电区，同时相应的引出三个电极：发射极，基极，集电极。同时又在两两交界区形成PN结，分别是发射结和基点结。
二：三极管的放大作用（这一问题是重点）
我们知道，把两个二极管背靠背的连在一起，是没有放大作用的，要想使它具有放大作用，必须做到一下几点：
发射区中掺杂 基区必须很薄 基电结的面积应很大 工作时：发射结应正向偏置，集电结应反向偏置
载流子的传输过程 因为发射结正向偏置，且发射区进行重掺杂，所以发射区的多数载流子扩散注入至基区，又由于集电结的反向作用，故注入至基区的载流子在基区形成浓度差，因此这些载流子从基区扩散至集电结，被电场拉至集电区形成集电极电流。而留在基区的很少，因为基区做的很薄。 我们再用图形来说明一下，如图（3）所示：
电流的分配关系 由于载流子的运动，从而产生相应电流，它们的关系如下：
其中：ICEO为发射结少数载流子形成的反向饱和电流；ICBO为IB=0时，集电极和发射极之间的穿透电流。   为共基极电流的放大系数， 为共发射极电流的放大系数。它们可定义为：
放大系数有两种（直流和交流），但我们一般认为，它们二者是相等的，不区分它们。

三：三极管的特性曲线
它的特性曲线与它的接法有关，在学习之前，我们先来学习一下它的三种不同接法。
（1）共基极，如图（1）所示 （2）共发射极  如图（2）所示 （3）共集电极  如图（3）所示
我们以NPN管共发射极为例：
1.输入特性
它与PN结的正向特性相似，三极管的两个PN结相互影响，因此，输出电压UCE对输入特性有影响， 且UCE>1,时这两个PN结的输入特性基本重合。我们用UCE=0和UCE>=1,两条曲线表示，如图（4）所示
2.输出特性
它的输出特性可分为三个区：（如图（5）的特性曲线） (1)截止区：IB<=0时，此时的集电极电流近似为零，管子的集电极电压等于电源电压，两个结均反偏 (2)饱和区：此时两个结均处于正向偏置，UCE=0.3V (3)放大区:此时IC=?IB，IC基本不随UCE变化而变化，此时发射结正偏，集电结反偏。

四：三级管主要参数
1.放大系数
它主要是表征管子放大能力。它有共基极的放大系数和共发射极的放大系数。它们二者的关系是：
2.极间的反向电流（它们是有少数载流子形成的）
（1）：基电极--基极的反向饱和电流。 （2）ICEO：穿透电流，它与ICBO关系为：ICEO=（1+?）ICBO
五：参数与温度的关系
由于半导体的载流子受温度影响，因此三极管的参数受温度影响，温度上升，输入特性曲线向左移，基极的电流不变，基极与发射极之间的电压降低。输出特性曲线上移。   温度升高，放大系数也增加。