IR推出3款新型25V DirectFET MOSFET

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IR推出3款新型25V DirectFET MOSFET [复制链接]

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出3款新型的25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET，以及IRF6628和IRF6629同步MOSFET。它们适用于服务器和电讯系统中的嵌入式CPU功率VRM模块，以及嵌入式DC-DC转换器。这些应用需要高效率和更佳的导热效能，从而提高功率密度。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：“这些25V DirectFET组件切合12V应用的需要，因为它们比竞争对手提供的20V组件具有更充裕的电压空间，功率损耗也比拥有相同动态硅区的30V组件为低。”

IRF6622控制MOSFET的闸电荷相当低 (Qg = 12nC)，有助减少交换损耗。IRF6628和IRF6629同步MOSFET经过最佳化，不但拥有低传导损耗，通态电阻 (RDS(on)) 也相当低，分别只有1.9m 和1.6m。IRF6622采用小罐DirectFET封装和SQ占位面积； IRF6628和IRF6629采用中罐DirectFET封装和MX占位面积。

这些25V DirectFET特别针对每相位20A至30A的设计。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位设计中，假如在每相位采用1对IRF6622和IRF6628，再配合 IR XPhase 芯片组，就可以在130A下达到88% 的效率。在相同情况下，IRF6622和IRF6629的组合之效率更高，在130A下达到88.5%。

产品基本规格如下：

编号	封装	BVDSS (V)	10V下 之 典型RDS (on) (m)	4.5V下 之 典型RDS (on) (m)	VGS (V)	Tc=25oC下之ID (A)	典型QG (nC)	典型QGD (nC)
IRF6622	DirectFET SQ	25	4.9	6.8	20	59	11.0	3.8
IRF6628	DirectFET MX	25	1.9	2.5	20	160	31	12
IRF6629	DirectFET MX	25	1.6	2.1	20	180	34	11

IRF6622、IRF6628和IRF6629 DirectFET MOSFET现已供货，全部皆符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。