低电压NAND flash介绍

13691982107

低电压NAND flash介绍 [复制链接]

低电压NAND flash介绍

随着便携式设备和穿戴式设备的兴起，产品对于功耗的要求也是越来越严格，基本这类设备对于待机时间，工作时间都有相应的要求。然而普通的NAND flash的供电电压是3.3V，这样就导致整个NAND flash在读和写的时候，功耗会比较大。如果系统要频繁从NAND flash中获取数据，这样对于整个NAND flash的功耗又会增加，据此原因，ATO针对这类应该开发出来了1.8V的低电压，低功耗NAND flash。

下面主要说明一下，ATO 1.8V 1Gb NAND flash的规格以及和3.3V NAND flash的对比。

图1    3.3V NAND flash的直流特性的指标

图2  1.8V NAND flash的直流特性指标。

从上面两个图的对比可以看出，读，写，操作操作时，电流的指标是一样的。但是1.8V的电压值几乎是一半与3.3V，故功耗也几乎是3.3V 的一半。

所以，对于功耗的节省是非常明显的。

深圳雷龙发展有限公司从事NANDFLASH行业10+年.目前代理ATO Solution小容量SLC NAND,SPI NAND,MCP等。想了解更多请咨询扣二八伍二扒二陆扒六八；电话一三陆玖一玖八二一零柒