闲话 SCS

hk6108

闲话 SCS [复制链接]

忽发奇想，想试试一种似乎没见介绍的玩法，
就是在拿它当BJT用时，把用不着的发射极跟「基极」连起来，看看当BJT深度饱和时，另一个发射结是否会跟着集电结变成正偏（或会导致闩锁效应），
说干就干，但居然买不到，据我所知，香港的电子零件行现在只有两所，但这两所都已没售卖SCS和双栅FET了，批发的纵有货也不零卖(何况也是没有)。

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「说明书」是这样写的，那么我就纳闷，是不是要拿个二极管跟 K结(NPN的发射结)反並联，SCS才能逆导得起来呢？！
而且，能还原为BJT，表明A层是没用的(但必须在使用前先短接，以防闩锁)，那么，把端子A接地，闩锁的风险不就可以杜绝吗？！

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忽然想起一种可能，就是SCS跟大功率器件那样，使用了 阴极短路 工艺，而阳极则不短路，所以要对发射结A做短接操作，使集电结跟AK两轨皆相连，得以兼当逆导二极管。

高进

你好，给你发站内消息也不回。
https://bbs.eeworld.com.cn/thread-646698-1-1.html
一直等你领奖呢！

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理论上，逆导晶闸管可利用集电结兼当逆导二极管，把两个发射结都「短路」就行，不过，功率管这样玩，那个集电结恐怕会伤不起了吧？！
除了逆导，还有让我更犯懵的，就是「角色扮演」的问题，同样的接法，居然可以模拟出两种功能（发射结A 不是短接了吗），是不是搭载正弦波时可充当BJT，而以方波(或方波微分脉冲)驱动就变回可控硅了呢，那岂不就像初出道时的 IGBT ？！

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PN结，是一切有源器件的砖瓦，除了单向导电性，PN结还有 雪崩击穿与齐纳击穿，还有 漂移和穿通 这两种近场效应，还有 场致反型 作用，
少数载流子为何能畅游集电结，为何有饱和压降及集电极何以正偏，是BJT原理的两大疑点，对PN结缺乏通盘认知的话，是无从理解的，还有就是 电流的取道和分配，发射结偏置对管子耐压的影响 等等，这一切都属于 半导体物理 的范畴。

hk6108

根据经典（集基耦合）双稳态电路的原理，管子的饱和压降必须低于PN结的门槛电压，截止方才得完全截止，电路的运作方能可靠，
问题来了，作为BJT使用，SCS的饱和压降够低不够，按理，如果两个「BJT」的饱和压降都低于 0.4V，则SCS的开通压降会比单个PN结的上止点电压(0.7V)还小，而作为 转折器件 使用时，两个发射结的「Ube」究竟多大，抓个SCS测其 闸极对轨电压 不就可求证了吗？！

hk6108

可控硅，GTO，肖克利二极管，它们都是PNPN四层器件，
当它们开通后，那「Ube」究竟多大，人们对此似乎没甚关注，但对于入门者，这样的好奇正常不过，SCS它每一层都有端子，管内各处的状况皆可告人，实用上，它功能多样，而在学习上，它完全是认识双极型有源器件的不二教材。

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复合≠耦合
元件≠模块

电路，是极(端子)的共用，元件，是结的共用，层次不一样！

按此图制造，是集成电路，按实际结构制造，是四层晶体管（开通后的「Ube」不会还是0.7V吧？）。

hk6108

二极管学了，学三极管，受困于 单向导电性，而且，BJT是双极有源器件的基本型，没有等效电路的，
BJT学过了，学可控硅，PNP+NPN＝PNPN，嵌套复合之妙，恐非一时半刻就能领悟，不过我发觉，「Ube」有多大及集电结还会正偏吗，这两者似乎问津乏人，相关资料亦付之阙如，难道，四层双极型器件的原理，用等效电路来解释就够了吗，正反馈不是器件原理的核心，载流子的交互，才是根本！