MSP430功能模块详解系列之——FLASH存储器

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一、MSP430单片机FLASH存储器模块特点

1.8～3.6V工作电压，2.7～3.6V编程电压；
擦除/编程次数可达100000次：
数据保持时间从10年到100年不等：
60KB空间编程时间<5秒：
保密熔丝烧断后不可恢复，不能再对JTAG进行任何访问；
FLASH编程/擦除时间由内部硬件控制，无任何软件干预；

二、FLASH存储器的操作

由于FLASH存储器由很多相对独立的段组成，因此可在一个段中运行程序，而对另一个段进行擦除或写入操作。正在执行编程或擦除等操作的FLASH段是不能被访问的，因为这时该段是与片内地址总线暂时断开的。

对FLASH模块的操作可分为3类：擦除、写入及读出。而擦除又可分为单段擦除和整个模块擦除；写入可分为字写入、字节写入、字连续写入和字节连续写入

1.FLASH擦除操作：对FLASH要写入数据，必须先擦除相应的段，对FLASH存储器的擦除必须是整段地进行，可以一段一段地擦除，也可以多端一起擦除，但不能一个字节或一个字地擦除。擦除之后各位为1。擦除操作的顺序如下：

选择适当的时钟源和分频因子，为时序发生器提供正确时钟输入
如果Lock=1，则将它复位
****BUSY标志位，只有当BUSY=0时才可以执行下一步，否则一直****BUSY
如果擦除一段，则设置ERASE=1
如果擦除多段，则设置MERAS=1
如果擦除整个FLASH，则设置RASE=1，同时MERAS=1
对擦除的地址范围内的任意位置作一次空写入，用以启动擦除操作。
在擦除周期选择的时钟源始终有效
在擦除周期不修改分频因子
在BUSY=1期间不再访问所操作的段
电源电压应符合芯片的相应要求

对FLASH擦除要做4件事

对FLASH控制寄存器写入适当的控制位
****BUSY位
空写一次
等待

2.FLASH编程操作。对FLASH编程按如下顺序进行：

选择适当的时钟源和分频因子
如果Lock=1，则将它复位
****BUSY标志位，只有当BUSY=0时才可以执行下一步，否则一直****BUSY
如果写入单字或单字节，则将设置WRT=1
如果是块写或多字、多字节顺序写入，则将设置WRT=1，BLKWRT=1
将数据写入选定地址时启动时序发生器，在时序发生器的控制下完成整个过程

块写入可用于在FLASH段中的一个连续的存储区域写入一系列数据。一个块为64字节长度。块开始在0XX00H、0XX40H、0XX80H、0XXC0H等地址，块结束在0XX3FH、0XX7FH、0XXBFH、0XXFFH等地址。块操作在64字节分界处需要特殊的软件支持，操作如下：

等待WAIT位，直到WAIT=1，表明最后一个字或字节写操作结束
将控制位BLKWRT复位
保持BUSY位为1，直到编程电压撤离FLASH模块
在新块被编程前，等待trcv（编程电压恢复时间）时间

在写周期中，必须保证满足以下条件：

被选择的时钟源在写过程中保持有效
分频因子不变
在BUSY=1期间，不访问FLASH存储器模块

对FLASH写入要做4件事

对FLASH控制寄存器写入适当的控制位
****BUSY位
写一个数据
继续写一直到写完

3.FLASH错误操作的处理：在写入FLASH控制寄存器控制参数时，可引发以下错误：

如果写入高字节口令码错误，则引发PUC信号。小心操作可避免
在对FLASH操作期间读FLASH内容，会引发ACCVFIG状态位的设置。小心操作可避免
在对FLASH操作期间看门狗定时器溢出。建议用户程序在进行FLASH操作之前先停止看门狗定时器，等操作结束后再打开看门狗
所有的FLASH类型的MSP430器件0段都包含有中断向量等重要的程序代码，如果对其进行擦除操作，将会引起严重的后果
不要在FLASH操作期间允许中断的发生