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MSP430单片机flash存储数据的方法 [复制链接]

MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根据容量不同,从0xFFFFh开始,每512字节为一段进行分配。   
  FLASH存储器写入数据时,每一位只能由“1”变成“0”,不能由“0”变成“1“,因此,当我们有数据要保存到FLASH存储器时,要先对目标段进行整段擦除操作,擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址写入数据,及擦除一段。   
  void flash_clr(int *ptr)   
  {   
  _DINT(); //关中断   
  FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 开锁   
  FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除   
  *((int *) ptr) = 0; //* 擦除段   
  }     FLASH存储器可以按字节写入,也可以按字写入。     void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value) // 字节写入     {     _DINT();  
   FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 开锁  

  FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能写入   
  *((int8_t *) ptr) = value; // 写入数据   
  }
void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value) // 字写入     {     _DINT();  
   FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */     FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */  
   *((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */     }  

  // FLASH存储器可以连续写入 按字节写入指定的数量的数据   
  void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)   
  {   
  _DINT();   
  FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */   
  FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */   
  while (len) { *ptr++ = *from++; len--; } } 在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中,例如:   
  typedef struct Setup   
  {   
  float gain_ch0; // 0通道增益     float gain_ch1; // 1通道增益     float gain_ch2; // 2通道增益      
   char init_flag; //初始化标记,恒为0xAA;   
}SETUP;  
我们定义了一个SETUP结构,存放三个AD通道的增益,以及其他要掉电保存的信息,init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化,当我们设置了FLASH参数后,将init_flag置一个固定值,例如设为0xAAh,在程序开始运行时,检查init_flag,当init_flag的值为0xAAh时,表明参数已被初始化。   
  使用FLASH参数:在程序中定义一个SETUP类型的指针变量,通过这个指针访问FLASH中的参数。例如:   
  #define SegmentA 0x1080   
  float temp;   
  SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA   
  if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)   
  {   
  temp = p_setup_flash->gain_ch0;   
  }   
  修改FLASH信息:由于FLASH不能象RAM一样直接修改,可以将FLASH信息拷贝到RAM中,修改相应参数后,重新保存到FLASH存储器中,之前要先擦除FLASH存储区。例如:   
  SETUP *p_setup;   
  SETUP buf; // 临时变量   
  p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH     memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷贝到RAM     p_setup = &buf; // 指向RAM  
   p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改参数  

flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷贝到FLASH

 
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