半导体二极管及其应用 测试题

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半导体二极管及其应用 测试题 [复制链接]

导体二极管及其应用

1．本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度 大于 小于 等于 2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于______ 温度 材料 掺杂工艺 掺杂浓度 3.在掺杂半导体中，少子的浓度受______的影响很大 温度 掺杂工艺 掺杂浓度 4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越______ 高 低 不变 5.N 型半导体______ 带正电 带负电 呈中性 6.温度升高 N 型半导体的电阻率将______ 增大 减小 不变 7. 当 PN 结正向偏置时，耗尽层将______ 不变 变宽小于 变窄 8.当环境温度升高时，二极管的正向电压将 升高 降低 不变 9.当环境温度升高时，二极管的死向电压将______ 升高 降低 不变 10.当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将______ 增大 减小 不变 11.二极管的正向电压降一般具有______温度系数 正 负 零 12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是______和______ UD,IF IF,IS IF,UR 13.理想二极管的主要性能指标为 ______ UD=0,IR=0, UD =0.3V ，IR=0 UD =0.5V ，IR =IS 13.稳压管通常工作于______，来稳定直流输出电压 截止区 正向导通区 反向击穿区 12.对于稳定电压为 10V 的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将 ______ 升高 降低 不变 13.二极管的反偏电压升高，其结电容 ______ 增大 减小 不变 17.二极管正向偏置时，其结电容主要是 ______ 势垒电容 扩散电容 无法判断 18.锗二极管的死区电压约为 ______ 0.1V 0.2V 0.3V 19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 ______ 0.3V 0.5V 0.7V 20.由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻越 ______ 大 小 不变 21.二极管的伏安特性可以表示为 ______ 22.已知二极管的静态工作点 UD 和ID ，则二极管的静态电阻为 ______ UD/ID UT /ID UD/IS 23.已知二极管的静态工作点 UD 和ID，则二极管的动态电阻为 ______ 24. 一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。若 UD增大到 0.66V ，则电流ID约 为 ______ 11mA 20mA 100mA 25  如图所示电路中，已知电源电压 E=4V 时,I=1mA。那么当电源电压 E=8V 时 , 电流I的大小将是______ I =1mA I <1mA I >1mA 26. 在上题图示电路中，若 E=8V ，当温度为 10℃ 时测得二极管的管压降为UD =0.7V, 当温度上升到 40℃ 时，则UD大小为 ______       UD =0.7V UD<0.7V UD>0.7V

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