这样直接驱动降低电路自耗电 不知道可行不？

SRAM001

这样直接驱动降低电路自耗电 不知道可行不？ [复制链接]

 

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killingspring

不可行，R1和R2形成分压，会抬高Q2发射极电压，Q2基极电压是CPU提供的，我想你的CPU的GPIO输出来的电压应该不会比12V高吧

SRAM001

killingspring 发表于 2018-1-2 12:40
不可行，R1和R2形成分压，会抬高Q2发射极电压，Q2基极电压是CPU提供的，我想你的CPU的GPIO输出来的电压应该 ...

谢谢

SRAM001

killingspring 发表于 2018-1-2 12:40
不可行，R1和R2形成分压，会抬高Q2发射极电压，Q2基极电压是CPU提供的，我想你的CPU的GPIO输出来的电压应该 ...

谢谢  
你看会不会造成这种现象  在电路第一次输入信号时  三级发射级电压为0  集极输入正向信号导通电阻分压 发射级 12v左右 mos导通  三极管截止 发射级电压经由电阻消耗将至为0 ，继电器会动作吗？

下雨了34

用光耦就可以吧。

chunyang

电路设计错误，不能用射随器，可以直接驱动开启电压满足驱动电压的N沟道MOS管，这样功耗也是最低的。

SRAM001

chunyang 发表于 2018-1-2 15:38
电路设计错误，不能用射随器，可以直接驱动开启电压满足驱动电压的N沟道MOS管，这样功耗也是最低的。

mos管驱动电压12v  用单片机驱动0-5  中间加三极管  待机时通过三极管导通释放掉分压电阻上的12v 这样的电流有点大 大约在2.89ma  无论怎么改都必须有一个三极管处于导通状态  用npn发射机得接地 用pnp也是一个道理 除非用小电压的mos管驱动大电压的mos管

maychang

SRAM001 发表于 2018-1-2 16:46
mos管驱动电压12v  用单片机驱动0-5  中间加三极管  待机时通过三极管导通释放掉分压电阻上的12v 这样的 ...

如果你的单片机输出能够达到5V，那么你可以挑选开启电压较低的MOS管型号，用单片机直接驱动MOS管。
6楼 chunyang 已经说过：“这样功耗也是最低的”。

maychang

楼主的另一帖采用NPN三极管共发射极电路。应该注意到：共发射极电路输出输入反相，那么单片机控制指令需要修改。
其实，真不如换个MOS管型号，软件硬件都省事。

chunyang

SRAM001 发表于 2018-1-2 16:46
mos管驱动电压12v  用单片机驱动0-5  中间加三极管  待机时通过三极管导通释放掉分压电阻上的12v 这样的 ...

要懂得选择适当的器件来达成目的。

killingspring

SRAM001 发表于 2018-1-2 13:24
谢谢  
你看会不会造成这种现象  在电路第一次输入信号时  三级发射级电压为0  集极输入正向信 ...

不存在你说的这种情况，这样设计MOS管是没法开启的