去饱和保护的问题

shaorc

【不懂就问】
如图，上面是看到TI设计资料里的一部分，是一款IGBT驱动芯片
其中在去饱和保护设计时，有这么一段说明
“在开关感性负载时，会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化
这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰，会从器件中消耗大量电流
为了将这些电流限制，可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联
，再选用一个肖特基二极管MM3z12vb，效果更好
可以确保在低电平下，把DESAT输入钳位到GND”

【1】所说的肖特基二极管D2和R1连用，限制尖峰引起的电流，是什么工作原理？
【2】下图全桥中，当要导通上管时，u点相当于是地，但是下管不同，u点是悬浮的，如何确定？

qwqwqw2088

用肖特基的作用主要是比较保险，反应速度快，钳位二极管限制尖峰后肯定要求快速恢复。
电阻有限流的意思

shaorc

qwqwqw2088 发表于 2017-12-20 17:15
用肖特基的作用主要是比较保险，反应速度快，钳位二极管限制尖峰后肯定要求快速恢复。
电阻有限流的意思

谢，第二问？

qwqwqw2088

shaorc 发表于 2017-12-21 07:43
谢，第二问？

如何确定什么
下管为何不通，U是悬浮？
就这片截图来看，不好看出
上桥臂导通上臂管截止的时是由于上桥的G极和U是有电压差的，看不出这个压差的产生。所以下管不通未知

建议找些有关全桥驱动的基础资料，看一下

qwqwqw2088

shaorc 发表于 2017-12-21 07:43
谢，第二问？

如何确定什么
下管为何不通，U是悬浮？
就这片截图来看，不好看出
上桥臂导通上臂管截止的时是由于上桥的G极和U是有电压差的，看不出这个压差的产生。所以下管不通未知

建议找些有关全桥驱动的基础资料，看一下