shihuntaotie

光看介绍，性能参数很强，但有一点这文件是QORVO公司专版，且提到他在氮化镓方面拥有最大的工艺范围，哪么如果想用高性能的氮化镓芯片，现有选择是否只有这一家公司，对于能应用这种高性能射频芯片的公司来说，会不会面临国外对国内的禁运封锁？现在整个行业对氮化镓是一种怎样的态度？国内是否也有发展?这些都是问题。说不定到时候又有可能变成当初的等离子电视啊，背投电视一样的尴尬存在。性能先进，但迅速被淘汰。。。。。

yubinwu

作者开头部分略带幽默，作为一本科普读物定调
后面也没涉及很高深的技术，反反复复的将高功率和高频率优点从一变到十
举一返十
至少给人留下比较深刻的印象是没错

期待后续的章节

anning865

看了Qorvo公司的这本介绍GaN技术的手册，进一步加深了氮化镓技术在射频通信领域的应用优势。
用一句话总结氮化镓技术的优势，就是相比传统的基于硅和砷化镓的功率晶体管技术，其具有更高的工作频率和更大的输出功率，一言以蔽之就是功率密度增大了。由此带来的好处就是在相同条件下，使用氮化镓技术可以拥有更低的功率损耗、更小的芯片面积（及外围器件体积减小）、更低的热量、更高的温度特性、更低的寄生电容参数等优势。而这些优势也非常符合下一代功率器件的发展趋势，所以可以看到未来的功率器件必将是GaN的时代。虽然目前GaN器件的价格普遍较贵，但是各大IC厂商已经开始进入该领域，除了Qorvo外，NXP、TI和ADI这些模拟厂商都有相关IC产品推出，相信随着用量的增大，单价必将逐步降低最终取代传统功率晶体管。
GaN目前的一大潜在应用领域就是射频微波领域，其实就是被即将到来的5G时代所引领。5G所要求的高速率，大带宽特性的实现除了依靠之前的MIMO和OFDM技术外，还必须依靠毫米波技术，而如此高的频率下要想得到较大的功率和较低的损耗就必须依靠GaN技术了。
除了微波领域的应用，GaN还有一个潜在的应用领域就是无线充电，这个也是本人的研究领域，我最先了解到GaN技术其实就是源自这里。因为GaN器件拥有更高的功率密度，所以在MHZ以上频段选用GaN来做无线充电的PA是很合适的（比如用在6.8MHZ的Airfuel标准），从效率和功率上都有所提升，也是目前的一个研究热点。目前GaN公司（中文名好像叫宜普公司）有相应的IC和产品在不断推出，个人觉得蛮有潜力的一家公司。

lehuijie

个人觉得氮化镓产品的成本在接下来几年之间应该还是会高于现在的半导体成本，虽然它介绍了可以减小电路来节约成本（比如拥有更高的放大能力），但是其产业链还是相较不成熟。从我个人看氮化镓的最大优点应该在温度和功率方面。

lehuijie

anning865 发表于 2017-11-17 21:16
看了Qorvo公司的这本介绍GaN技术的手册，进一步加深了氮化镓技术在射频通信领域的应用优势。
用一句话总结 ...

现在无线充电的瓶颈氮化镓好像也解决不了吧？

anning865

lehuijie 发表于 2017-11-17 22:57
现在无线充电的瓶颈氮化镓好像也解决不了吧？

你所谓的瓶颈是什么？距离吗？

murongyu

氮化镓技术，国内的应用也已经展开了。某所和某所已经出成果了。这基础知识仍然很有价值。s下载学习了！学无止境！科学无止境！加油吧。

RF-刘海石

https://bbs.eeworld.com.cn/thread-580492-1-1.html

个人的小总结

lehuijie

anning865 发表于 2017-11-18 09:19
你所谓的瓶颈是什么？距离吗？

有一点，距离较远时自由空间传输损耗过大。还有高功率辐射对人体伤害。

anning865

lehuijie 发表于 2017-11-18 23:29
有一点，距离较远时自由空间传输损耗过大。还有高功率辐射对人体伤害。

看来你考虑的是远场传能，这个物理规律所限，GaN也无能为力。

荣丰宇

氮化镓器件适合在高频率下工作的高功率应用，主要是针对射频电路部分，功率开关或者功率放大器，这东西已经听说过好久了，GaN的工艺较之前的半导体材料有些难度的，不知道Qorvo做得怎么样，还有就是不知道是不是已经大面积使用了哈

songshuheng

简明扼要，半小时看完，好东西，顶起

constant

看了GaN的技术文章，技术已经成熟，问题是价格和厂家支持怎样，运用的是高端领域还是都有系列的产品

laoying_rc

这篇文章主要从氮化镓的结构、材料方面进行了说明和介绍，让我们对于氮化镓的性能有了更深入的认知。
氮化镓的特性决定了其优越性和光明前景，其对砷化镓和硅器件的替代不可逆转。

chunyang

俺是落后了，氮化镓新器件还没研究过，更谈不上应用了……

zxw1126

氮化镓的优势在功率，工作电压，导热性，失效率等方面相比于砷化镓有很大的优势

gmchen

整篇文章似乎还没有“渐入佳境”，只是反复强调氮化镓具有高功率密度、适合射频应用等优点，当然也指出了一些缺点，例如栅极漏电流较大，晶格错位多等。期待实际的晶体管参数、特性、应用等。

shakencity

其实半导体材料越普遍越好这是我最初的想法，当然可能稀有的功能上有不可替代的作用，所以我觉得将氮化镓与其他的材料进行对比才是关键，毕竟功能上基本上都能实现，最终还是要货比三家才是王道……

linjun3210

作者和译者的水平都比较高。开头部分的幽默不知道是原书作者所写还是译者的友情提示。每一个章节的介绍都是深入浅出，条理分明，将氮化镓的应用，性能优势作了详细介绍和横向对比，分别从各种性能参数指标和特点进行讲解，让读者耳目一新，迅速领悟。

linjun3210

linjun3210 发表于 2017-11-22 09:37
作者和译者的水平都比较高。开头部分的幽默不知道是原书作者所写还是译者的友情提示。每一个章节的介绍都是 ...

希望与版主探讨一下，我对书中翻译的一个小异议。
如图所示，书中的纤锌矿是否应更正为铅锌矿。其实这个描述并不影响对书中内容的理解，只是提出我的一个看法。