[X-NUCLEO-IKS01A2测评] LSM303AGR中的磁场传感器补充测试

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下边的实验非常简单和经典——就是将磁针相对分别于Z、X、Y轴平行，测试结果展现出来。由于没有在磁屏蔽筒中，无法采用海尔姆斯线圈定磁场强度测试，加上板子的限制——测试的3个边的距离不可能一样，只能得到相对结果，具有了解传感器性能的意义。以下的数据看的是显示4位的LCD下边的数据。
照片71[特别说明照片71 中的X错了，应该是Z！]、72是磁针平行Z轴——垂直开发板，当磁针正常放置和反转时的显示值分别为-1906、+0942，其差的数值为2848。
照片73、74是磁针平行X轴——与开发板左右平行，当磁针正常和反转放置时的显示值分别为-2821，+2224，其差为5045。
照片75、76是磁针平行Y轴——与开发板上下平行，当磁针正常和反转放置时的显示值分别为-1587，+2170.其差为3757。
此外查看当磁针分别与X、Y、Z轴平行时，其他的两个轴的数值也有较大的变化。考虑到mems封装的是一致性较好的，只能是测试环境——磁针的垂直度不够和环境金属对这个磁场的贡献造成的。
可以得到的结果是：在较大的磁场测量中LSM303AGR的测量还是很有意义的，也许是因为此传感器采用的是霍尔类材料，性能自然比不上采用磁致伸缩和巨磁阻抗材料的性能，因此在微小[nT或小于nT]磁场检测中，不能使用LSM303AGR传感器。

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