今天面试官问我IGBT驱动电压为什么选择15V,而不是14V，13V？

西里古1992

今天面试官问我IGBT驱动电压为什么选择15V,而不是14V，13V？ [复制链接]

这本身不就是一个范围吗？考虑栅极击穿不宜过高，也不能太低导致饱和导通电压Vce过大发热？是不是在刁难我？？？

geowhy

你是要应聘什么工作，是芯片工艺工程师，还是应用工程师

西里古1992

geowhy 发表于 2017-10-20 19:17
你是要应聘什么工作，是芯片工艺工程师，还是应用工程师

硬件开发

ywlzh

也许你的面试官就是想要听到 用15V而不用14V，13V是考虑到驱动能力的问题

然后一堆堆的探讨开始了，这个东西，千万别较真。

受不了对方吹牛逼，还是离开为妙。

elvike

15v和14v都在Vgsth开启电压以上，已经有效驱动IGBT。IGBT的datasheet里面有很多图表，其中一个是vgs跟Vsat的图，意思是不同的驱动电压下对应的IGBT的饱和压降，也就是说驱动电压越高，饱和压降更低，也就是说相同的导通电流下导通损耗越低。但是另一个方面相同母线电压下，发生短路的时候，更高的驱动电压意味着更高的短路电流。15v是在这两者之间的折中选择。在IGBT的应用中，IGBT工作在截止和饱和区，为保护IGBT因为短路等原因从饱和区退出而进入放大区，需要有效关断，但是大电流情况下硬关断IGBT可能会造成很高的dv/dt以及关断尖峰击穿，常见的有软关断和多电平关断。这里只说多电平关断。就是再检测到IGBT退出饱和区之后，不能立即执行硬关断，首先把Vgs驱动电压降低，让短路电流下降，最后再执行硬关断。当然这个过程都是很短的，IGBT短路承受能力在datasheet里面可以查，时间一般在10us以内。楼主如果要了解这方面的知识，推荐你去infineon和concept他们两家的网站下载相应的技术文档看一下。concept他们的资料更好一些。英飞凌的1ED010I12-FT就是两电平关断的。

凤凰息梧桐

面试就是五花八门啊    还有很多奇葩的问题啊                  
就当作聊天                     

strong161

这本身就是一个讨论性问题，而对讨论性的问题才能体现你知识的深度，你可以一句话回答，也可以几句话回答，也可以说上一会儿，难道你自认为你的理解深度比人家高？越是简单的提问越是需要全面的知识深度，而组织语言表述，也是能力的体现，人家说不定就是从技术问题回复差异上面来求取不同的性格差异。面试本来就是只看看人吧，只要有些基础就没有什么大的问题，但是回答水平确是有千差万别的，过于自傲的人企业也非不是太喜欢的。

PowerAnts

你直接告诉这SB主管，这属于电压等级问题。好比汽车发动机排车，有1.6/1.8/2.0/2.4,  很难找到1.7、1.9，2.1

西里古1992

elvike 发表于 2017-10-21 03:44
15v和14v都在Vgsth开启电压以上，已经有效驱动IGBT。IGBT的datasheet里面有很多图表，其中一个是vgs跟Vsat ...

硬件电子需要了解的太多了，谢谢前辈