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TA的资源

纯净的硅(中级)

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初学MSP430F5529 定时器B编程 [复制链接]

定时器B和定时器A有很多相同之处,学习的时候注意回忆Timer_A的相关知识。注意,MSP430F5529中只有一个定时器B
  1 定时器B的简介
7.1.1 特性(了解):
(1).   16位同步定时/计数,4种工作模式可选、4中长度可选;
(2).   可选可配置时钟源;
(3).   高达7个捕获/比较寄存器;
(4).   可配置PWM输出;
(5).   带有同步装载的双缓冲比较寄存器;
(6).   快速解码的中断向量;
7.2.2 与定时器A的比较(相同点与不同点)
(1).   TB的计数长度可以选择(8、10、12、16BITS),而TA只有16位;
(2).   TB0CCRn寄存器是双缓冲的,且可以分组;
(3).   所有的TB输出可以被设为高阻状态;
(4).   TB没有SCCI,即捕获器输入信号CCI没有被锁存;
看结构图,观察和TA有什么区别:

            7.2 Timer0_B寄存器介绍及设置)
声明:所有寄存器同样支持字和字节操作
所有寄存器初始化都为0x0000
      7.2.1 TB控制寄存器TB0CTL(最常用最基本)(和TA有一点不同)
                                   rw-(0)表示默认读写均为0
  TBCLGGRPTB0CLn分组控制
      00每个TB0CLn独立使用
      01TB0CL1+TB0CL2作为一组(TB0CCR1的CLLD位控制整组数据更新)
         TB0CL3+TB0CL4作为一组(TB0CCR3的CLLD位控制整组数据更新)
     TB0CL5+TB0CL6作为一组(TB0CCR5的CLLD位控制整组数据更新)
         10TB0CL1、2、3一组,(TB0CCR1的CLLD位控制整组数据更新)
                TB0CL4、5、6一组,(TB0CCR4的CLLD位控制整组数据更新)
         11TB0CL0、1、2、3、4、5、6整合为一组,(TB0CCR1的CLLD位控制整组数据更新)
CNTL计数器长度控制
  00 16位,即最大可以计到0FFFFh
  01 12位,即最大可以计到0FFFh
  10 10位,即最大可以计到03FFh
  11  8位,即最大可以计到0FFh
TBSSEL 时钟源选择。尽量不要选TACLK外部时钟源,因为如果TACLK和CPU时钟不同步,很容易出问题。(TB0CLK接P7.7引脚)
  00 TBCLK
  01 ACLK
  10 SMCLK   
  11  ~TBCLK
ID第一次分频控制。ID0-1分频;ID1-2分频;ID2-4分频;ID3-8分频
MC工作模式控制。(建议在修改定时器运行模式前先停止定时器(中断使能、中断标志、TACLR例外),以避免产生未知的误操作。)(和TA一样)
  00 停止模式:定时器停止
  01 增模式: 定时器计数到TB0CCR0
  10 连续模式,定时器计数到0FFFH(16位)…12位、10位…
  11增减模式:定时器加计数到TB0CCR0然后减计数到0000H
TBCLR定时器清零位。该位置位会复位TA寄存器,时钟分频和计数方向。
TACLR位会自动复位并置0
TBIE定时器中断使能
      0:中断禁止
  1:中断允许
TBIFG中断标志位
  0:没有中断发生
  1:有中断挂起
7.2.2 计数值存放寄存器TB0R
7.2.3 扩展寄存器TBEX0
很简单,这个寄存器就是为了控制时钟源的二次分频(看结构图)。
                 该寄存器的低3为定义为TBIDEX:000-111分别表示1-8分频
7.2.4 捕获/比较寄存器TBCCR0-TBCCR67个)
                 比较模式下,用来设定计数终值;
捕获模式下用来将捕获的TBR值存放进TBCCRx中。
  7.2.5 捕获/比较控制寄存器TB0CCTL0-TB0CCTL6

CM捕获模式设定    00 不捕获 01 上升沿捕获 10 下降沿捕获 11上升和下降沿都捕获
     CCIS捕获源的选择    00 CCIxA 01 CCIxB 10 GND 11 VCC
SCS同步捕获源,设定是否与时钟同步 0 异步捕获1 同步捕获
CLLD比较寄存器缓冲装载模式选择。00 TB0CCRn的值(改变时)立即装载到TB0CLn 01 当TB0R的值计到0时,进行装载10 增模式或者连续模式下,TBR0值计到0时,进行装载 ;增减模式下,TBR0计数到TBCL0时,开始装载;11 TBR0计数到TBCL0时,开始装载;
CAP 0-比较模式     1-捕获模式
OUTMOD输出模式控制位。TA一模一样
CCIE中断使能,该位允许相应的CCIFG标志中断请求 。0-中断禁止      1 -中断允许
CCI  捕获比较输入,所选择的输入信号可以通过该位读取
OUT 对于输出模式0,该位直接控制输出状态 。0-输出低电平    1-输出高电平
COV捕获溢出位。该位表示一个捕获溢出发出,COV必须由软件复位。0-没有捕获溢出发生  1-有捕获溢出发生
CCIFG捕获比较中断标志位。 0-没有中断挂起    1-有中断挂起
      7.2.6 中断向量寄存器TB0IV
TAIV一样,里面存放一个数字编号。

7.3 重点讲TBTA的不同之处
              7.3.1 没有再把CCI信号锁存了
TA作捕获器的时候,CCI为捕获信号,然后CCI被锁存输出 为SCCI;
                                             但是,TB没有锁存。也就是说只能从CCI位查看输入信 号了。
                 7.3.2 计数值位数可调了(其实无所谓,都可以16位那干嘛不用)
TA的计数值寄存器TAR只能是16位(0XFFFFh);
                                             TB计数值寄存器TBR可以选择是16、12、10、8位;
                 7.3.3 两级缓冲比较器(比较模式下)
TA里面,我们在TACCRn中写入要比较的数值,然后让TAR中的计数值和TACCRn比较,如果相等了,相应的标志位就会置位;
TB里面,不仅有TB0CCRn,还多了一个二级缓存器TB0CLn。TB0CLn不能被直接进行操作,它的值只能来源于TB0CCRn。计数的时候,TB0R中的计数值不和TB0CCRn比较,而是和TB0CLn进行比较。
二级缓冲是为了防止我们在修改TB0CCRn的值的时候,对计数产生影响。因为计数器不直接和TB0CCRn比较,而是TB0CCRn把值赋给TB0CLn,由TB0CLn去和TB0R进行比较。所以也就有了CLLD位控制比较寄存器缓冲装载模式:(当向TB0CCRn中重新写数时)
00  TB0CCRn的值立即装载到TB0CLn
01  当TB0R的值计到0时,进行装载
10  增模式或者连续模式下,TBR0值计到0时,进行装载 ;
        增减模式下,TBR0计数到TBCL0时,开始装载;
11   TBR0计数到TBCL0时,开始装载;
              7.3.4 比较器可以被分组
TA没有二级缓冲寄存器,而且本来的TACCRn也只能被单         独使用。
对于TB
TBCLGGRPTB0CLn二级缓冲寄存器分组控制
                       00每个TB0CLn独立使用
01TB0CL1+TB0CL2作为一组(TB0CCR1的CLLD位控制整组数据更新)
TB0CL3+TB0CL4作为一组(TB0CCR3的CLLD位控制整组数据更新)
TB0CL5+TB0CL6作为一组(TB0CCR5的CLLD位控制整组数据更新)
                            10TB0CL1、2、3一组,(TB0CCR1的CLLD位控制整组数据更新)
                                    TB0CL4、5、6一组,(TB0CCR4的CLLD位控制整组数据更新)
                            11TB0CL0、1、2、3、4、5、6整合为一组,
(TB0CCR1的CLLD位控制整组数据更新)
所谓的分组,就是该组的数据要同时更新。
10模式下的TB0CL123这组为例:
TB0CCTL1中的CLLD设置为01,即TB0R计数到0时,TB0CCR1就会把值装载(更新)到TB0CL2中,同时TB0CCR2就会把值装载(更新)到TB0CL2中,同时TB0CCR3也会把值装载(更新)到TB0CL3中。无论TB0CCRn中的值有几个发生了变化,但它们都只会同时更新TB0CLn。
一个重要的应用:
如图,增减模式下,可以用来产生有死区时间(dead time)的信号。
我们知道有一种H电路结构,该电路有一般有两个输入端,而且这两个输入端(12)严禁同时输入高电平。那么该怎么产生驱动该电路的信号呢:
但是,如果我们想要在系统运行的时候,修改死区时间怎么办。那只有修改
比较器里面的数值了。这样就有问题了,如果两个比较器数值没有同时修改,那么就有可能产生同时为高电平的情况,这就很危险了。所以,我们把比较器分组,这样数据同时更新,就不会有这样的担心了。

 
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