N MOSFET VGS(th)和管子导通的关系 ？

yhye2world

N MOSFET VGS(th)和管子导通的关系 ？ [复制链接]

 

如下图所示，为AOT290L/AOB290L( N MOSET )的部分参数。
其中，VGS(th)的值为：Min，2.9V ；Typ，3.5V；Max，4.1V .

请教：我对VGS(th)参数 和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：
1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；
2. 当2.9V≤VGS(th)<4.1V时，此规格的MOSFET有可能导通（也有可能不导通）；
3. 当VGS(th)<2.9V时，所有此规格的MOSFET均不导通。

谢谢 ！

附图

whuer

可以这么理解
同时VGS越高，RDS（ON）就越小

asimilar

whuer 发表于 2017-8-10 02:41
可以这么理解
同时VGS越高，RDS（ON）就越小

简直是误导人，谁跟你说VGS越高，RDS（ON）越小？自己好好看看规格书

asimilar

没毛病

maychang

VGS(th是管子开始导通门极与源极之间的电压，注意测试条件是漏极电流250uA，这是一个很小的值，距离该管漏极电流允许的最大值很远很远。开始导通后，随着门极源极之间电压增加，管子也越来越导通，漏极电流不断上升。

maychang

whuer 发表于 2017-8-10 02:41
可以这么理解
同时VGS越高，RDS（ON）就越小

不能说说“VGS越高，RDS（ON）就越小”，只能说“VGS越高，RDS就越小”。
RDS和RDS(ON)，二者含义不同。前者是随VGS变化的，后者基本不随VGS变化(可以说是RDS变化的最小值)。

elec32156

我也理解的是Vgs越大，Rds（on）越小，Rds（on）就是Vgs达到Vgs（th）之后管子D到S的沟道电阻啊，vgs越大，这个沟道就越宽，Rds（on）应该就越小啊，是哪里理解错了吗，求大神点拨！谢谢。

yhye2world

谢谢各位大侠，前辈 ！

maychang

elec32156 发表于 2017-8-10 12:12
我也理解的是Vgs越大，Rds（on）越小，Rds（on）就是Vgs达到Vgs（th）之后管子D到S的沟道电阻啊，vgs越大， ...

不是这么回事。
门极对源极电压达到 Vgs（th）之后，MOS管漏极与源极之间电阻是相当大的(由漏极电流仅250uA即可看出来)，而且该电阻带有强烈非线性。随着Vgs不断增加，漏极与源极之间电阻也不断减小，Vgs达到某一数值后，漏极源极之间电阻减小得很慢，几乎不 再减小，此时的漏极源极之间电阻称为Rds(on)。

asimilar

asimilar 发表于 2017-8-10 08:30
简直是误导人，谁跟你说VGS越高，RDS（ON）越小？自己好好看看规格书

不好意思，这里我说话有点偏激。没有考虑到MOS管工作在放大状态，放大状态是表现出阻抗特性，也就是Vgs输入电压低于Vgs（th）电压时，随着VGS电压的增加，RDS（on）是越来越小的。当高于某一值（此值大于Vgs（th））时，随着Vgs的电压的升高直至Vgs（max）值，RDS（on）变化并不明显。一般按照推荐测试的Vgs选择驱动电平

elec32156

maychang 发表于 2017-8-11 20:18
不是这么回事。
门极对源极电压达到 Vgs（th）之后，MOS管漏极与源极之间电阻是相当大的(由漏极电流仅25 ...

谢谢前辈！
这么说可以理解为MOSFET的沟道在趋近于完全打开时的这么一个电阻了，之前一直理解的“on”是MOSFET一开始的“导通”，而实际上是相当于沟道“饱和”时候的RDS了。

maychang

elec32156 发表于 2017-8-14 12:47
谢谢前辈！
这么说可以理解为MOSFET的沟道在趋近于完全打开时的这么一个电阻了，之前一直理解的“on” ...

是的。