请教这个MOS的低损耗防反向原理

littleshrimp

请教这个MOS的低损耗防反向原理 [复制链接]

496952046wjq

模拟电路各部分的值，可以说是匹配出来的。当电源接反时(VCC与GND颠倒)，PMOS的G极高电平，但是导通条件为Vs>Vg,所以此时MOS管为关断状态，S极高阻态，电流没有回流路径，自然起到保护作用。

至于低损耗，用串联二极管的方式，至少会有0.5V左右的压降，而MOS管导通内阻在mΩ级别，损耗可忽略不计。

chunyang

这里的低损耗就是利用了MOS管的低导通内阻，压降比二极管低得多，这非常适合电池供电的设备，也适合用于大电流场合。至于说电路原理，电源反接时，PMOS管是不会导通的，只要其耐压足够即可。

lyfly_away

学习了，感谢分享

littleshrimp

496952046wjq 发表于 2017-5-18 11:10
模拟电路各部分的值，可以说是匹配出来的。当电源接反时(VCC与GND颠倒)，PMOS的G极高电平，但是导通条件为V ...

我对MOS的工作原理理解不够，以前使用时都是S接输入，D接输出，电流从S流向D
不知道这样也会导通

littleshrimp

chunyang 发表于 2017-5-18 11:46
这里的低损耗就是利用了MOS管的低导通内阻，压降比二极管低得多，这非常适合电池供电的设备，也适合用于大 ...

我对MOS管的导通条件理解不够，刚才又百度了一下，算是明白了
谢谢老大

496952046wjq

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