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一粒金砂(中级)

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X电容打干扰问题 [复制链接]

最近测试变频器,尝试在输入端打高频脉冲群干扰实验,效果不近人意,发现输入端的降噪是这样接4个一样的薄膜安规电容,望有高人提点一下,分析利弊,给出意见,不胜感激!

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楼主说了在输入端打, 那通常是用耦合网络耦合到电源输入端了, 只有控制端口才用耦合夹通过分布电容注入. 电源端注入的信号, 在楼主4个X电容的作用来, 视为旁路, 应该有相当的抑制作用.  详情 回复 发表于 2017-4-4 22:25
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版主

沙发
 
为什么要标一下是X电容呢
“高频脉冲群干扰实验,效果不近人意”不能说是这几个电容的原因
高频脉冲群干扰实验,着重检验的是传导和辐射干扰问题
这项出现问题一般建议是增加和改进共模电感的参数,或是测试设备的接地情况,或是电源线的长短粗细,包括高频变压器的等等都是因素
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五彩晶圆(高级)

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楼主说了在输入端打, 那通常是用耦合网络耦合到电源输入端了, 只有控制端口才用耦合夹通过分布电容注入.
电源端注入的信号, 在楼主4个X电容的作用来, 视为旁路, 应该有相当的抑制作用.
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