2007年中国半导体制造业年度人物

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2007年中国半导体制造业年度人物 [复制链接]

晶圆厂（Fab） 中芯国际（SMIC）总裁兼首席执行官张汝京（Richard Chang） 2007年12月，中芯国际上海12英寸生产线（Fab 8）正式运营。同月，中芯国际与IBM签订45nm bulk CMOS技术许可协议，使中芯国际为全球客户提供45nm代工服务有了可能。 中芯国际紧跟国际先进工艺技术的经营理念，实质性地缩小了中国大陆先进半导体制造业技术水平与国际领先水平的差距。 封测（Packaging & Testing） 江苏长电科技股份有限公司董事长王新潮（Wang Xinchao） 总投资20亿元、年封装50亿块IC的新厂房2007年8月正式投产，公司自主研发的FBP（平面凸点封装）技术，可部分替代QFN、CSP封装形式，并可实现SiP、MCM封装效果。 为中国封测业走上技术创新、提升竞争力 之路起到了良好的示范效应。 前道设备（Front-end Equipment） 中微半导体设备（上海）有限公司（AMEC）董事长兼CEO尹志尧（Gerald Yin） 2007年12月，AMEC发布了面向65nm及45nm工艺用蚀刻装置“Primo D-RIE”和CVD装置“Primo HPCVD”，两款产品与市场上的现有产品相比处理能力提高35%、成本则降低35%。AMEC于2007年6月向客户交付了各1台测试机。 AMEC的12英寸、65nm及45nm蚀刻机及CVD设备，是中国产核心设备首次进入国际主流生产线。 后道设备（Back-end Equipment） 沈阳芯源微电子设备有限公司（SOLIDTOOL CO．，LTD．）总裁宗润福 2007年7月，公司用于芯片封装多种涂覆材料的匀胶/显影和晶圆单片清洗12英寸凸点工艺全自动涂胶设备，在江阴长电先进封装有限公司通过严格工艺检测验收正式投入使用。 这是本土首台12英寸芯片封装设备在大生产线上运行，是国产IC装备在晶圆尺寸和新工艺应用上的重大突破。 材料（Material） Honeywell特殊材料集团电子材料部全球总经理李蓓凯（Rebecca Liebert） 2007年11月，Honeywell特殊材料集团电子材料部全球总部从美国迁到上海，Honeywell电子材料部在半导体制造、平板显示、光电、LED以及印刷电子产品领域提供绝缘、平谈化、空隙填充、光管理、化学掺杂、刻蚀和清洗、金属化、检测、热管理以及电气互连等解决方案。 Honeywell特殊材料集团电子材料部是首家将其全球总部移至中国的国际半导体材料供应商。 服务（Service） 大连市信息产业局副局长唐忠德 2007年3月26日，Intel和大连市政府在北京人民大会堂联合宣布，Intel投资25亿美元在大连建立一座300mm晶圆厂（Fab 68）、采用90/65nm工艺生产芯片组。这个被大连市政府付诸“1%的可能，100%的努力”的特大招商“06项目”，历时3年终于成功引入。 Fab 68是Intel在亚洲的首个晶圆厂，也是迄今中国在IC制造CMOS技术领域首个具有世界级水准的生产线，并为中国北方微电子产业链的建立奠定了基础。

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