msp430单片机的FLASH存储读写问题

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FLASH存储的读写
       FLASH技术结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，可以使用尽可能小的开销来发挥EEPROM的最大灵活性。MSP430F149的嵌入式FLASH存储器同EEPROM一样是可电擦除并且可编程存储器，主要特点如下：

• 编程可以使用位、字节和字操作
• 可以通过JTAG、BSL和ISP进行编程。
• 1.8V-3.6V工作电压，2.7V-3.6V编程电压。
• 擦除/编程次数可达100000次。
• 数据保持时间从10年到100年不等。
• 60KB空间编程时间＜5秒
• 保密熔丝烧断后不可恢复，不能再对JTAG进行任何访问。
• FLASH编程/擦除时间由内部硬件控制，无需软件干预。
  

       FLASH存储器具有如下优点：调电后数据不丢失、数据存储速度快、电可擦除、容量大、在线可编程、足够多的擦写次数、价格低廉、高可靠性。FLASH基本可以取代EEPROM,只是擦除操作不能一个字节一个字节擦除，只能一段一段进行。
      MSP430F149的FLASH存储器模块是由128段主存储器与2段信息存储器组成。信息存储器为每段128字节，地址为1000H-10FFH，分别为信息存储器A和B。主存储器每段为512字节，其地址范围为1100H-FFFFH。
       对FLSAH模块有3种操作：读、写及擦除。读很简单，可使用各种寻址方式，借助指令就可以轻松完成。擦除与写入需要按其固有的操作过程，通过控制FLASH模块的3个控制字中的相应位来完成，只有控制位的唯一组合才能实现相应的功能。
       MSP430F149的Flash模块的读写程序，在编写程序时可以将读和写分别用一个函数来完成，当需要使用时直接调用函数即可，如果写入的数据是在一段时间里不被擦除的，可以在写入后锁定，当然改写时要先解锁。本实验中主要使用它来存储电极传感器经过校正后的一些数据，这些数据在进行pH值计算和温度补偿时要被调用出来，保证输出的数值在此温度下，电极此时老化情况下正确。