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一粒金砂(高级)

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三极管电路读图方法 [复制链接]

 
最近看了TL431手册,基本原理和应用搞清楚了。手册上有TL431内部的三极管电路,看不太明白,有大神指点下么。1.右边电路中的基准源是如何构成的?
2.多级放大是在具体那部分?
能看懂复杂基础电路也是硬件工程师核心竞争力的一部分吧。

QQ截图20170107214216.jpg (116.8 KB, 下载次数: 3)

QQ截图20170107214216.jpg
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我们国家现在开始重视集成电路的开发了,投入了巨资,有的公司收购外国的芯片公司其实就是国家大力支持的 以后必然会掌握集成电路的核心技术 所以说,将来几年我们国家模拟电子技术的人,特别这些研究集成IC内部电路的人会很吃香的  详情 回复 发表于 2017-1-9 18:52
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五彩晶圆(高级)

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本帖最后由 gmchen 于 2017-1-8 14:20 编辑

详细分析是不可能在这里展开的,只能简单说一下:
电路中左下角的三个晶体管及其外围电阻构成基准电压源,其余晶体管(除了最右边两个晶体管外)构成方块图中的那个放大器,放大器的反相输入端在4千欧电阻那里。
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额。。。不明白  详情 回复 发表于 2017-1-8 19:52
 
 

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早上就看到了此帖,因为要外出,未及回复。

集成电路的设计与分立元器件电路很不一样。分立元器件总是尽量减少元器件,实际上是减少封装,集成电路则不怕三极管多,如果需要用二极管也是按照三极管制造然后短路掉一个PN结当二极管用,因为集成电路工艺制造三极管比制造二极管容易。电阻要尽量少,尤其是高电阻,因为集成电路工艺制造电阻要比制造三极管占用更大的芯片面积。电容最大只能做到几十pF。
所以套用分立元件电路的角度去看集成电路,往往会产生误解。
首帖左边框图中,(R)端到(K)端有一支二极管,右图中却没有这支二极管。实际上,右边图中最左面的三极管的集电结,就是左边图中这支二极管。
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我能看懂的部分都标注在里面了。不知道基准电压和集成运放是怎么构成的。。。  详情 回复 发表于 2017-1-8 19:48
 
 
 
 

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maychang 发表于 2017-1-8 17:00
早上就看到了此帖,因为要外出,未及回复。

集成电路的设计与分立元器件电路很不一样。分立元器件总是尽 ...

我能看懂的部分都标注在里面了。不知道基准电压和集成运放是怎么构成的。。。

QQ截图20170108194029.jpg (156.59 KB, 下载次数: 1)

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gmchen 发表于 2017-1-8 14:15
详细分析是不可能在这里展开的,只能简单说一下:
电路中左下角的三个晶体管及其外围电阻构成基准电压源, ...

额。。。不明白
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大部分人用431就如用一个电阻电容一样,不管内部构造,内部集成电路太复杂,非常赞楼主这种深钻能力

不过要想把部分内部电路搞彻底,还要啃啃TI 的tl431英文资料,
9.3功能说明
9.3 Feature Description
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好的,我找下  详情 回复 发表于 2017-1-9 16:57
 
 
 
 

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想依靠datasheet搞通TL431内部电路的原理基本是行不通的。真正要搞通,必须依赖pn结的压降与电流的关系Ie=Is*exp(Vbe/VT),或者写成Vbe=VT*ln(Ie/Is),其中VT=kT/q。根据这个式子写出内部各节点的电流关系式,还要考虑到Vbe的温度特性大约是-2.1mV/K的关系。
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我先找找TI资料看吧  详情 回复 发表于 2017-1-9 16:57
 
 
 
 

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想依靠datasheet搞通TL431内部电路的原理基本是行不通的。真正要搞通,必须依赖pn结的压降与电流的关系Ie=Is*exp(Vbe/VT),或者写成Vbe=VT*ln(Ie/Is),其中VT=kT/q。根据这个式子写出内部各节点的电流关系式,还要考虑到Vbe的温度特性大约是-2.1mV/K的关系。
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qwqwqw2088 发表于 2017-1-8 23:19
大部分人用431就如用一个电阻电容一样,不管内部构造,内部集成电路太复杂,非常赞楼主这种深钻能力

不 ...

好的,我找下
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gmchen 发表于 2017-1-9 12:32
想依靠datasheet搞通TL431内部电路的原理基本是行不通的。真正要搞通,必须依赖pn结的压降与电流的关系Ie=I ...


我先找找TI资料看吧
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我们国家现在开始重视集成电路的开发了,投入了巨资,有的公司收购外国的芯片公司其实就是国家大力支持的
以后必然会掌握集成电路的核心技术

所以说,将来几年我们国家模拟电子技术的人,特别这些研究集成IC内部电路的人会很吃香的
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