PMOS管的gs电压

dlcnight

PMOS管的gs电压 [复制链接]

一般来说pmos的gs耐压要比ds低很多。如以下电路，这种接法安全么？
PS:gs耐压20v，ds100v

dlcnight

U8光耦下面3脚直接接地了，没截出来。
该应用是电机控制，只做开关，频率比较低，不会超过10hz。电流大概2A.

dontium

这个管子的VGS是20V，即使光耦合器短路，其R22、R34的分压也不会使其击穿。

maychang

dlcnight 发表于 2016-5-3 16:33
U8光耦下面3脚直接接地了，没截出来。
该应用是电机控制，只做开关，频率比较低，不会超过10hz。电流大概2 ...

如楼上所说，即使光耦短路，R34上分到的电压也不会使MOS管GS之间击穿。
但布板时仍然要注意，门极这个节点面积尽量小，线尽量短。

maychang

让我感到奇怪的是：为什么不采用N沟管。
相同参数的N沟管比P沟管便宜，也容易买到。

eyesee

应该是ok的

dlcnight

maychang 发表于 2016-5-3 22:41
让我感到奇怪的是：为什么不采用N沟管。
相同参数的N沟管比P沟管便宜，也容易买到。

n沟道管能做到2A以上的电流么？热耗散也会比较大吧，能推荐一个么？

dlcnight

maychang 发表于 2016-5-3 22:40
如楼上所说，即使光耦短路，R34上分到的电压也不会使MOS管GS之间击穿。
但布板时仍然要注意，门极这个节 ...

我是担心结电容的充电效应，在刚上电时g上电压为0，而s上却有48v电压。充电也需要一个过程，在这个过程中会不会有隐患。

dlcnight

maychang 发表于 2016-5-3 22:41
让我感到奇怪的是：为什么不采用N沟管。
相同参数的N沟管比P沟管便宜，也容易买到。

还有就是安全点吧，低电平不导通48v是没电的，用nmos只能控制地上断路，但vcc有电

maychang

dlcnight 发表于 2016-5-4 22:08
n沟道管能做到2A以上的电流么？热耗散也会比较大吧，能推荐一个么？

通常N沟管的最大电流、导通电阻等等参数均优于P沟管，尤其是耐压，比P沟管要强得多。
这是生产工艺造成的。

maychang

dlcnight 发表于 2016-5-4 22:10
我是担心结电容的充电效应，在刚上电时g上电压为0，而s上却有48v电压。充电也需要一个过程，在这个过程中 ...

“我是担心结电容的充电效应”
有道理。应该考虑过渡过程。

“在刚上电时g上电压为0，而s上却有48v电压”
错。
上电瞬间g上电压并不是0，而是由gs之间和dg之间这两个电容的分压比以及d极电压决定决定。虽然dg之间电容考虑到米勒效应比较大，但d极电压并非为零(注意P沟MOS管在g极电压低于s极时导通)。

maychang

dlcnight 发表于 2016-5-4 22:20
还有就是安全点吧，低电平不导通48v是没电的，用nmos只能控制地上断路，但vcc有电

无论P沟管还是N沟管，管子关断时负载两端均是一端断开，另一端与电源联接，怎么能说P沟安全呢？

dlcnight

maychang 发表于 2016-5-5 08:41
无论P沟管还是N沟管，管子关断时负载两端均是一端断开，另一端与电源联接，怎么能说P沟安全呢？

n沟道一端接负载，一端接地，断开时负载虽然不工作但是仍然带电。
p沟道一端接电源一端接负载，断开时电源开路。
对于48v电压来讲确实是pmos更安全。

dlcnight

maychang 发表于 2016-5-5 08:41
无论P沟管还是N沟管，管子关断时负载两端均是一端断开，另一端与电源联接，怎么能说P沟安全呢？

n沟道如你所说，p沟道开路时负载两端均开路。
这个电路若考虑过渡过程会有安全隐患么？

maychang

dlcnight 发表于 2016-5-5 21:36
n沟道一端接负载，一端接地，断开时负载虽然不工作但是仍然带电。
p沟道一端接电源一端接负载，断开时电 ...

负载(电动机)与地断开但与电源正端联接，负载与电源正端断开但与地联接，二者是完全一样的。
电源负端就是地。

maychang

dlcnight 发表于 2016-5-5 21:46
n沟道如你所说，p沟道开路时负载两端均开路。
这个电路若考虑过渡过程会有安全隐患么？

考虑过渡过程，就要考虑电动机绕组的分布电容，这个分布电容可能是比较大的。

dlcnight

maychang 发表于 2016-5-5 22:42
负载(电动机)与地断开但与电源正端联接，负载与电源正端断开但与地联接，二者是完全一样的。
电源负端就 ...

安全性上不同吧，电源断开人碰到不会触电，地断开人碰电源有触电危险。

maychang

dlcnight 发表于 2016-5-6 17:21
安全性上不同吧，电源断开人碰到不会触电，地断开人碰电源有触电危险。

安全性确实稍有不同。
不过，48V电压，通常还不致于发生人身危险。

另外，“地断开人碰电源有触电危险”不对，无论何时，只要电压够高，人碰到电源都有危险。你想要表达的是：“地断开人碰到电机断开的那一端有危险”。

dlcnight

maychang 发表于 2016-5-6 18:53
安全性确实稍有不同。
不过，48V电压，通常还不致于发生人身危险。

另外，“地断开人碰电源有触电危 ...

触电不仅是电压够高，还需要输出功率足够。电源端串上大电阻（相当于pmos断开）限制了电流输出大小，也起到了分压作用。
而地上断开（相当于nmos断开），人碰到vcc没有任何保护作用。

maychang

dlcnight 发表于 2016-5-9 15:38
触电不仅是电压够高，还需要输出功率足够。电源端串上大电阻（相当于pmos断开）限制了电流输出大小，也起 ...

“电源端串上大电阻（相当于pmos断开）限制了电流输出大小，也起到了分压作用。而地上断开（相当于nmos断开），人碰到vcc没有任何保护作用”
现在讨论的是人体与GND接触，又碰到电机与MOS管联接的那一端，而不是讨论人体与GND接触，又碰到VCC。人体碰到VCC，和P沟N沟什么关系也没有。
至于你所说大电阻相当于PMOS断开，那PMOS导通时如何？