STM32f103rbt6断电保存Flash处理问题，求支招！！！

a19911103hsy

STM32f103rbt6断电保存Flash处理问题，求支招！！！ [复制链接]

我用的STM32F103RBT6核心单片机，由于现在需要存储参数，一共40个字节。。。
怎么处理，我看网上有通过电压检测器PVD，低于2.9v时，在PVD中断里面操作写数据到FLASH。不知道能不能完成操作？？？（时间上会不会不够），这种方式可靠么？

还有网上一种建议，上电的时候进行FLASH擦除工作（存参数的那页） ，断电的时候直接进行写操作，来节省时间。。。
求大神支招

白丁

断电保护是这么做的，检测压降，一般掉到2.9v后还有一段时间才真正不能工作，可以在终端里边加个打印，也是能够打印出来的，这个打印时间已经不短了，如果感觉时间上没有保证可以加个钽电容。因为flash的特性写之前必须先擦除，断电的时候进行擦除操作肯定是耗费时间的，但可以考虑不写到一个块地址，利用多个块进行操作，这样只需要保证上电后一个块可写就可以了，之前的数据还可以保留

jinggx

必须断电时存？是频繁变化的数据？

ywlzh

还有一个比较笨拙的方法

就是参数一旦改变，接着就存进去，断电就不用担心了

上电直接取就行了

白丁

ywlzh 发表于 2016-4-24 08:38
还有一个比较笨拙的方法

就是参数一旦改变，接着就存进去，断电就不用担心了

上电直接取就行了

你怎么确保在写进去之后断电呢？如果参数改变完就断电了呢？

白丁

ywlzh 发表于 2016-4-24 08:38
还有一个比较笨拙的方法

就是参数一旦改变，接着就存进去，断电就不用担心了

上电直接取就行了

断电随时都有可能发生

huo_hu

不要在低压情况操作flash，不可靠，建议你用vbat的寄存器，只是没那么大容量，你要自己设计。
确定改变的参数就直接写入。

a19911103hsy

huo_hu 发表于 2016-4-24 15:41
不要在低压情况操作flash，不可靠，建议你用vbat的寄存器，只是没那么大容量，你要自己设计。
确定改变的 ...

您指的是利用BKP寄存器，我查了下 中小容量STM32芯片 提供20个字节的存储大小。
具体操作是在； 掉电后触发PVD中断 然后写BKP么？？？？上电直接读取BKP？

a19911103hsy

白丁 发表于 2016-4-24 09:30
断电随时都有可能发生

您说的多个块 是 在Flash中某一页， 我用的芯片1页是1KB大小，也就是1024个字节，您的意思是上电参数直接往后面空白位置写么？？？？写完后再擦除？？？再继续往后面写？？？？

白丁

a19911103hsy 发表于 2016-4-24 19:57
您说的多个块 是 在Flash中某一页， 我用的芯片1页是1KB大小，也就是1024个字节，您的意思是上电参数直接 ...

多个块循环写

huo_hu

a19911103hsy 发表于 2016-4-24 19:54
您指的是利用BKP寄存器，我查了下 中小容量STM32芯片 提供20个字节的存储大小。
具体操作是在； 掉电后 ...

是那个bk，不太理解你为啥一定要到没电了才写

a19911103hsy

huo_hu 发表于 2016-4-24 20:41
是那个bk，不太理解你为啥一定要到没电了才写

您的意思是？？？能具体说下么》、？？