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一粒金砂(中级)

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11.0592的晶振的旁路电容选择 [复制链接]

 
这两个电容,改成22pf,或者15pf,影响大吗?是不是电容太大会降低响应速度


晶振.png (48.08 KB, 下载次数: 6)

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学习了   详情 回复 发表于 2016-3-3 15:06
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不同的振荡器和不同的晶体(注意,是晶体不是晶振,晶振是有源器件,晶体是无源器件,晶振不存在什么匹配电容问题)要求不同容量的匹配电容(注意,不是什么旁路电路),所以,一切严格按器件手册的规定选择。匹配电容取值不合适时会影响起振,也可能会造成谐振点偏差即频率误差,对于泛音晶体尤为严重。
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个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
 
 

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电容小,起振速度快,但不稳定,电容大,起振困难,所以建议按数据手册要求值进行设计(还包括晶振参数).
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一粒金砂(高级)

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建议不要自行修改。。。这两个电容是晶振的负载电容。。。他们影响这无源晶体的谐振频率和振幅。。。。改过之后有可能晶体会难起振或者不起振。。。或者输出频率超差。。。。。
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纯净的硅(高级)

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这个电容值和晶振参数有关
最好不要乱改
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So TM what......?

 

 
 

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或许影响不大,因为30p可能就是随便选的。。
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前排挤挤,支持队长。  详情 回复 发表于 2016-2-24 16:28
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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lcofjp 发表于 2016-2-24 16:13
或许影响不大,因为30p可能就是随便选的。。

前排挤挤,支持队长。
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个人签名什么都不会,只会水经验,请见谅。如果有什么得罪的地方,请找我们队长..................ID:lcofjp
 
 
 

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51单片机11.0592的,22pf和30pf,33pf的比较常用
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纯净的硅(高级)

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chunyang 发表于 2016-2-24 16:19
不同的振荡器和不同的晶体(注意,是晶体不是晶振,晶振是有源器件,晶体是无源器件,晶振不存在什么匹配电 ...

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So TM what......?

 

 
 

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一粒金砂(中级)

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这个是晶振的负载电容,在晶振的datasheet里面会有这个参数的,如果选的不对,会引起频率的误差的。
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晶体的负载电容是晶体本身的参数,外置的电容是某些类型的振荡电路才需要的。MCU的晶振电路几乎都是考比兹振荡电路,即电容三点式振荡电路,那两个电容与晶体一起构成谐振选频网络,就是那个“三点”中的两个电容。  详情 回复 发表于 2016-2-24 20:39
 
 
 

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honghuxp 发表于 2016-2-24 19:16
这个是晶振的负载电容,在晶振的datasheet里面会有这个参数的,如果选的不对,会引起频率的误差的。

晶体的负载电容是晶体本身的参数,外置的电容是某些类型的振荡电路才需要的。MCU的晶振电路几乎都是考比兹振荡电路,即电容三点式振荡电路,那两个电容与晶体一起构成谐振选频网络,就是那个“三点”中的两个电容。为简化称呼及避免误会,因这两个电容跟晶体的负载电容参数有关,需要与之匹配,所以可以叫做“匹配电容”。但注意,其实这个叫法严格讲是不确切的,需要加一串定语修饰,显然不适合一般沟通,故简称“匹配电容”。
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一粒金砂(中级)

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chunyang 发表于 2016-2-24 20:39
晶体的负载电容是晶体本身的参数,外置的电容是某些类型的振荡电路才需要的。MCU的晶振电路几乎都是考比 ...

很专业的样子,学习了~~~
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一粒金砂(初级)

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学习了
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