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新人求助~~~TTL反相器输入高电平时,为什么T2管饱和,T4管深度饱和呢? [复制链接]

如图,这个反相器输入高电平时,书上和老师给的结论都是T2饱和,T4深度饱和。可是却没有给判断依据,我自己怎么也找不到判断方法。求前辈们鼎力相助,看看是怎么判断的。PS:手算判断。

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TTL反相器输入高电平

TTL反相器输入高电平
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VT1原图见楼主首帖。 我根据楼主首帖图这样画,只不过是要说明VT1发射结开路(可以涂掉),集电结也是一个PN结罢了。 顺便说一句:这样画也是为了说明首帖图中“VT1处于倒置工作状态,集电结正偏,发射结反偏”。  详情 回复 发表于 2016-2-10 21:34
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输入高电平,VT1发射结反偏,电流几乎为零,可以视为开路。
VT1的集电结也是一个PN结,把这个PN结画出来,就知道为何VT2饱和了。VT2的基极电流正是由VT1集电结供应的。
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vt1的ce脚是不是反了?  详情 回复 发表于 2016-2-10 18:24
 
 

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maychang 发表于 2016-2-8 17:25
输入高电平,VT1发射结反偏,电流几乎为零,可以视为开路。
VT1的集电结也是一个PN结,把这个PN结画出来 ...

晚辈还是不太懂,我只知道能判断出来T2的bc电压是大于开启电压了,但是这要想进一步判断饱和,不是应该再加一个ce电压大于be电压的条件才能判断得出的吗?但是这个图里,我怎么都看不出该怎么判断ce电压大于be电压。
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从R1下端到地是三个PN结(正因为是三个PN结这里才标注2.1V),所以R1两端电压是2.9V,通过R1的电流是0.725mA,这也是VT2的基极电流。即使VT2电流放大倍数仅有5倍,也足以令VT2进入饱和。 顺便说一句,不是“ce电压大  详情 回复 发表于 2016-2-8 18:46
 
 
 
 

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lllxxq141592654 发表于 2016-2-8 17:37
晚辈还是不太懂,我只知道能判断出来T2的bc电压是大于开启电压了,但是这要想进一步判断饱和,不是应该再 ...

从R1下端到地是三个PN结(正因为是三个PN结这里才标注2.1V),所以R1两端电压是2.9V,通过R1的电流是0.725mA,这也是VT2的基极电流。即使VT2电流放大倍数仅有5倍,也足以令VT2进入饱和。
顺便说一句,不是“ce电压大于be电压”进入饱和,是小于
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maychang 发表于 2016-2-8 18:46
从R1下端到地是三个PN结(正因为是三个PN结这里才标注2.1V),所以R1两端电压是2.9V,通过R1的电流是0.725m ...

前辈说的太对了,按照前辈的讲法,确实很容易而且很有说服力地判断出T2的饱和状态了。那个ce电压确实应该是小于be电压,写的时候脑子短路了~~

关于T4深度饱和那个,T4的状态书上说是深度饱和。我按前辈的方法这样推导您看是否正确:
∵T4导通
∴T2发射极电位钳位在0.7V
  流过R3的电流就是0.7÷1=0.7mA
即使假设T2是临界饱和状态(这样算出来T2射极电流最小),那么T4基极电流应该是
(5-0.7)÷(1.6+1)-0.7=0.95mA
即使T4的β只有几(比如还假设是5),那么T4的集电极电流也有0.95×5=4.75mA了。
∵T3截止,阻抗很大
∴T4进入的是深度饱和状态。

我刚还想出来一种定性判断的方法:
就是T4肯定导通,而T3作为T4的集电极电阻截止,阻抗很大,就可以直接说T4深度饱和。

前辈您看这两种分析有问题吗?尤其是第二种方法,判断速度很快,但是我不知道这样是否严谨,在实际的电路中会否有不成立的情况。

多谢前辈~☺
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虽说是没有考虑负载,不够完整,但可以看出确实是用了心思考虑,比囫囵吞枣强得多,比照本宣科更是强多了。  详情 回复 发表于 2016-2-9 11:08
实际工作,TTL门电路输出端必定接有负载(否则该数字电路的工作没有意义)。通常负载是若干个类似本反相器输入端的并联。VT4必须在接有负载时仍能够饱和。允许接入TTL门电路输入端的最大数,称为该反相器的扇出系数。  详情 回复 发表于 2016-2-9 11:04
 
 
 
 

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lllxxq141592654 发表于 2016-2-9 10:26
前辈说的太对了,按照前辈的讲法,确实很容易而且很有说服力地判断出T2的饱和状态了。那个ce电压确实应该 ...

实际工作,TTL门电路输出端必定接有负载(否则该数字电路的工作没有意义)。通常负载是若干个类似本反相器输入端的并联。VT4必须在接有负载时仍能够饱和。允许接入TTL门电路输入端的最大数,称为该反相器的扇出系数。
你只考虑了空载情况,所以不够完整。不过,原书好像也没有仔细分析负载的影响。
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lllxxq141592654 发表于 2016-2-9 10:26
前辈说的太对了,按照前辈的讲法,确实很容易而且很有说服力地判断出T2的饱和状态了。那个ce电压确实应该 ...

虽说是没有考虑负载,不够完整,但可以看出确实是用了心思考虑,比囫囵吞枣强得多,比照本宣科更是强多了。
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谢谢前辈鼓励
我确实是忘了考虑负载了,因为不论书上还是课件上的图,都是空载的,而且分析门电路连接的时候,也是按空载时推导出的结论来分析的(感觉有点被误导了),这个问题我以后一定好好注意。
多谢前辈帮助,以后有不懂得问题,还要向前辈讨教~~~
祝前辈新春快乐~~~
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多谢多谢!同乐同乐! 有什么不懂,常来eeworld提问就好。  详情 回复 发表于 2016-2-10 13:43
 
 
 
 

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lllxxq141592654 发表于 2016-2-9 13:36
谢谢前辈鼓励
我确实是忘了考虑负载了,因为不论书上还是课件上的图,都是空载的,而且分析门电路连接的 ...

多谢多谢!同乐同乐!
有什么不懂,常来eeworld提问就好。
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本帖最后由 philipchiu 于 2016-2-10 18:28 编辑
maychang 发表于 2016-2-8 17:25
输入高电平,VT1发射结反偏,电流几乎为零,可以视为开路。
VT1的集电结也是一个PN结,把这个PN结画出来 ...

vt1的ce脚是不是反了?

vt1%20rev.jpg (80.22 KB, 下载次数: 0)

vt1%20rev.jpg
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VT1原图见楼主首帖。 我根据楼主首帖图这样画,只不过是要说明VT1发射结开路(可以涂掉),集电结也是一个PN结罢了。 顺便说一句:这样画也是为了说明首帖图中“VT1处于倒置工作状态,集电结正偏,发射结反偏”。  详情 回复 发表于 2016-2-10 21:34
 
 
 
 

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philipchiu 发表于 2016-2-10 18:24
vt1的ce脚是不是反了?

VT1原图见楼主首帖。
我根据楼主首帖图这样画,只不过是要说明VT1发射结开路(可以涂掉),集电结也是一个PN结罢了。
顺便说一句:这样画也是为了说明首帖图中“VT1处于倒置工作状态,集电结正偏,发射结反偏”。
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