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Linear官方原理图中的OPT、NPO、VCM等疑问 [复制链接]

Linear官方原理图里有几点不太明白
1、图中1处的OPT(OPTION)是要自己实际测量后选择适当的参数还是可焊可不焊?
2、为什么图中2处的C55标注为NPO电容,C66却没标,是漏标了吗?
3、图中3处VCM使用一个分压电阻把参考电压分压,经过U5缓冲通过R35、R36连接到AIN+和AIN-,是为了实现直接通过AIN+和AIN-测量而不需要第三根线AGND吗?
4、因为R35、R36没有参数,这两个电阻的阻值应该根据什么选择?对精度有没有要求,比如使用5%可以吗?

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五彩晶圆(初级)

沙发
 
第一个,应该是根据不同的功能配置来选择性装配,原理图里面有个说明,是两个不同的型号-A和-B。
第二个,NPO是电容的材料缩写,还有X7R,还有COG
第三个,应该是配置跳线帽,方便模式选择切换
第四个,5%的有点低了,这两个电阻的参数对称性要求挺高的吧
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2、C55和C66都是NPO电容,我在BOM里看到了。 3、图中3处的路线是选择使用板截VCM还是外部VCM,U5输出的是1/2VREF,但是不确定使用R35和R36把AIN拉到1/2VREF的目的是不是为了实现2线的差分输入(这  详情 回复 发表于 2015-12-31 13:56

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个人签名作为一个水军,就是尽量的多回帖,因为懂的技术少,所以回帖水分大,见谅!
EEWORLD开发板置换群:309018200,——电工们免费装β的天堂,商家勿入!加群暗号:喵
 

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elvike 发表于 2015-12-31 09:46
第一个,应该是根据不同的功能配置来选择性装配,原理图里面有个说明,是两个不同的型号-A和-B。
第二个, ...


2、C55和C66都是NPO电容,我在BOM里看到了。
3、图中3处的路线是选择使用板截VCM还是外部VCM,U5输出的是1/2VREF,但是不确定使用R35和R36把AIN拉到1/2VREF的目的是不是为了实现2线的差分输入(这个我不知道应该怎么表达了好像是 (悬空?),不使用AGND而直接使用AIN+测电池的正极AIN-测电池的负极了?),R35和R36的阻值应该怎么选择?
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一粒金砂(初级)

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np0是电容的工艺,这种电容而稳定性好,一般情况下有较高Q值。但是贵。所有这应该是制图人认为这里应当选用np0型电容,其他地方不做要求。

个人看法,做个参考。

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纯净的硅(高级)

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