2016聚焦国内3D-NAND Flash开发进度

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2016聚焦国内3D-NAND Flash开发进度 [复制链接]

【路之遥电子网讯】虽然全球半导体行业形势严峻，但国内相关行业厂商任能把握机遇，找准弯道切入点，根据DRAMeXchange2016数据表明2016年整体NAND Flash产值仅年增长0.2%，达266亿美元， 而其中3D-NAND Flash开发进度为聚焦重点。

3D NAND技术与现有的2D NAND(纳米制程技术)截然不同，2D NAND是平面结构而3D NAND是立体结构，3D NAND结构是以垂直半导体通道的方式排列，多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管，可以有效的降低堆栈间的干扰。3D技术不仅使产品性能显著提升，而且功耗可以大幅降低，在提升存储密度的同时降低成本。

以三星的3D NAND产品为例，它比1x纳米NAND Flash更加可靠，功耗更低，并且拥有随机写入功能。3D NAND Flash技术的出现及其带来的市场格局变化，为我国集成电路制造企业进入主流存储器制造领域提供了有利的契机。洪沨认为，相对于DRAM，后者对于后进者的技术和成本壁垒更高。

2016年是制程转进以及产品结构转换的关键时期。特别是15/16纳米在2015年第三季成为主流制程后，后续制程微缩的空间将面临瓶颈，再加上三星早已量产3D-NAND Flash并成功打开在SSD的市占率，刺激其他NAND Flash厂商也陆续从今年第四季开始加速3D-NAND Flash的开发。DRAMeXchange预估2016年总晶圆投片量(12寸约当)达到1670万片，年增长12%，而因3D-NAND Flash的开发加速进行，预估2016年位元供给率将较今年大幅增长50%，为近四年来新高。

杨文得表示，今年中国半导体厂商投资NAND Flash存储相关公司的脚步加快，以及在NAND Flash上中下游产业链的布局日趋完整，未来3-5年中国厂商以及中国市场将对NAND Flash产业的变化扮演关键地位。

受十三五规划以及相关政策的影响，在存储芯片领域国内今年发展迅速，三星NAND Flash产业在西安设厂就是其中之一。一直以来，中国的存储芯片产业基本空白，几乎100%依赖进口。三星、美光、东芝、海力士等企业垄断的存储器市场高达800亿美元，占据全球95%以上的市场份额。而中国每年进口的存储芯片就占55%的全球市场份额。

随着全球存储器产业的技术持续更新，对单颗芯片容量的密度要求越来越大。因而国内厂商因紧抓机遇，实现3D-NAND Flash开发的“弯道超车”，以填补存储芯片领域的空白。