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说光耦隔离继电器保护电路设计 [复制链接]

本帖最后由 qwqwqw2088 于 2015-10-6 19:57 编辑

光耦亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器。

  大功率开关电源主回路设计,该电路采用的是全桥拓扑经过高频变压器转换再整流,实验项目是三相进线15V/6KA输出。其中,主回路的保护设计及报警设计是必不可少的。通过单片机输出控制继电器动作,而且由于抗干扰的要求,我必须通过光耦隔离。。于是乎,光耦隔离继电器保护电路设计应需而生。

  主要电路设计如下图:


  该继电保护主要隔离应用的是TI公司生产的TIL117光耦芯片。该芯片无需供电,通过光耦二极管上拉15V电源输出15mA即可正常工作,有效隔离了输出侧对主回路的电磁影响。。

  另外该电路还有一个+24V供电电源,大部分继电器设计的时候都需要24V,该电源设计图如下:


  该电路主要的稳压芯片采用的是生产设计的UA7824芯片,该芯片输入电压可调范围宽,稳压性能好,功耗低价格低廉。在继电器电路设计的图纸中,稳压电源用的这个芯片。


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何必言谢? 互相交流切磋么。  详情 回复 发表于 2015-10-6 21:13
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本帖最后由 仙猫 于 2015-10-4 21:36 编辑

说实话,被引用的“设计”图实在画得不咋样。

1、两个三极管的b-e间并个泄流电阻才好,高阻容易误动作。E15+D27大可不必,并个电阻就行。
2、同理,光耦U18的输入端(LED端)也最好并电阻。
3、既然要隔离,光耦前后仍共着地则效果大打折扣,尽管也能动作,但至少不能拿来做典型例子推荐。
4、交叉点应避免用十字线,否则中间是否连接不易看清,即使原图很清晰,打印后如多次复印连接点还会看不清,应按附图的画法处理。

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谢谢,同意  详情 回复 发表于 2015-10-6 20:22
 
 
 

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版主,我想问电容E15的容量有多大?在保护关断继电器的时候,电容是通过三极管基射极放电,这个时间会很慢吧?请版主解惑

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如仙猫所说,E15+D27可以不要。 可在这里用一个5.1K大小的电阻接地代替。 可以这样理解,当光耦不驱动时,Q2如开路,则很容易受干扰使继电器误吸合。加个电阻就可以避免让Q2基极处于高阻态。 可以抑制三极管的穿  详情 回复 发表于 2015-10-6 20:22
个人签名作为一个水军,就是尽量的多回帖,因为懂的技术少,所以回帖水分大,见谅!
EEWORLD开发板置换群:309018200,——电工们免费装β的天堂,商家勿入!加群暗号:喵
 
 
 

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本帖最后由 maychang 于 2015-10-5 12:45 编辑

3楼第一条意见很对。普通光耦暗电流可达50uA,此电流如果电解电容漏电很小的话,完全流入三极管基极。三极管的集电极电流很可能使继电器误动作。

解决的方法如下图,在三极管基极与发射极之间并联一支电阻。如图中红色所示。

至于那支二极管,原作者可能是考虑提高三极管发射结导通阈值电压,但24V电源串联电阻后几乎可以看成恒流源,该二极管几乎什么用也没有。应该短路掉。至于那支电解电容,也没有什么用处,可以去掉。

光耦的LED侧,大致与此处理原则相同。

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是的,谢谢指正  详情 回复 发表于 2015-10-6 20:22
 
 
 

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本帖最后由 qwqwqw2088 于 2015-10-6 20:24 编辑
elvike 发表于 2015-10-4 15:22
版主,我想问电容E15的容量有多大?在保护关断继电器的时候,电容是通过三极管基射极放电,这个时间会很慢 ...

如仙猫所说,E15+D27可以不要。
可在这里用一个5.1K大小的电阻接地代替。
可以这样理解,当光耦不驱动时,Q2如开路,则很容易受干扰使继电器误吸合。加个电阻就可以避免让Q2基极处于高阻态。
可以抑制三极管的穿透电流ICEO。如果用的Q2不好,基极b开路时的穿透电流ICEO也大,可能会误导继电器吸合。
 
 
 

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仙猫 发表于 2015-10-4 21:18
说实话,被引用的“设计”图实在画得不咋样。

1、两个三极管的b-e间并个泄流电阻才好,高阻容易误动作。 ...

谢谢,同意
 
 
 

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maychang 发表于 2015-10-4 21:58
3楼第一条意见很对。普通光耦暗电流可达50uA,此电流如果电解电容漏电很小的话,完全流入三极管基极。三极 ...

是的,谢谢指正

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何必言谢? 互相交流切磋么。  详情 回复 发表于 2015-10-6 21:13
 
 
 

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