mos管和bjt的开关速度的问题

nwen128@163.com

mos管和bjt的开关速度的问题 [复制链接]

请问坛友：我需要对输入的方波增大幅值，增大驱动能力。目前用的BJT工作于开关状态来作，但是觉得bjt的上升和下降时间太长了。请问是不是用MOS管来作会好些么，功率会增大么？谢谢

maychang

先说清楚你“输入的方波”频率多少，幅度多少，信号源阻抗，等等。然后把你的电原理图贴出来，注明使用器件型号和元件数值，负载是什么，才能够判断为何“上升和下降时间太长了”。

qwqwqw2088

楼主要用测量数据说话，，
理论上，通常说的BJT的速度快，MOSFET寄生电容大，截止频率低，BJT是电流驱动器件，必须要有一定的输入电流才能工作，其输入电阻很小。
MOS管是电压控制，要考虑内阻

nwen128@163.com

maychang 发表于 2015-9-12 20:38
先说清楚你“输入的方波”频率多少，幅度多少，信号源阻抗，等等。然后把你的电原理图贴出来，注明使用器件 ...

我输入最大频率是64Mhz，信号幅度是0—3.3v，从FPGA中出来的信号。主要用的仙童的3904和3906来搭建的，配合肖特基二极管使BJT处于饱和的临界的状态。

dontium

方波，边缘时间是主要参数之一。

64M，频率稍高，用小功率FET会比晶体管好些。

qq849682862

JFET效果应该更好吧

842857615

最近用BJT搭锁存器也遇到了这个问题，初学，调了很久，感觉BJT要工作在开关状态，ib必须要足够大。我现在的问题是开关速度尚可，但关断延迟时间过长，估计原因是我电路关断BJT时的电阻过大，后期继续改了。

maychang

842857615 发表于 2017-9-8 11:22
最近用BJT搭锁存器也遇到了这个问题，初学，调了很久，感觉BJT要工作在开关状态，ib必须要足够大。我现在的 ...

BJT关断时如果功底前基极电流过大(晶体管进入深饱和)，则基极电流减少到零后BJT仍会维持一段时间的导通。解决的方法是(1)关断前晶体管不要处于饱和状态(处于线性放大区接近饱和处)。(2)向基极施加反向电流。