安卓佳

各结相距太近，外延层及引线端面跟结区距离不足，从来是兵家大忌，
当PN结形成后，载流子就会在边境上互相中和，这种空乏区是与生俱来的，不必上电就能建立，亦不愁穿通之患，
穿通，不是击破而是连合，导致穿通的是反偏时生成的耗尽性空乏区，在本地，由于少子匮乏，结区才会「耗尽」，当耗尽区跟外延层，引线端面或其他结区靠拢时，电荷得以大量补给，结区原有的阻断作用遂告喪失！
如果两个PN结都反偏，一个层内两个空乏区对峙，穿通的机会就更大，如果两个偏压相等，则两端压差为零，穿通即使真的发生，也不会有电流通过，而对于该层内的其他区域，此耗尽区依然有截流作用，合金BJT的基极层那么长，基极边缘跟耗尽区的距离也许已经足够，如果未被封装，大可拿它来做个实验，看看能否当作jFET来用。

安卓佳

我发觉，有源器件，都是电流元，jFET根本就是一只二极管，把二极管造成像楼上那图的模样就成了jFET，会表现出有源器件皆有的恒流特性来，
把电压源直接连到DS两极，管子会烧毁，电源亦可能会垮掉，若先把GS短接，则空乏区一上电就建立，沟道被限流，空乏区随电压的增减而涨缩，使沟道电流几乎不受电压变化的影响，如果在S极串联电阻，则Rs也会像BJT的Re那样起负反馈作用，可强化jFET的恒流效果（是效果，不是功能）。

安卓佳

jFET是一只二极管，λ二极管其实也可以靠一只二极管来造就，而无需像坊间资讯所介绍的用两个jFET来建构，
λ二极管不是由jFET构成的吗，在坊间的那些资讯里头，只有它的文字叙述与等效电路，关于它的实体结构的资料却楞是搜不到，唯有瞎猜，也许，用J字形芯片来併凑是合适不过的了，既能自身成管，又可作为同轴式管子的栅极引线，
PN结耗尽区的形成几乎不耗电，造出N多的耗尽区跟生成一个所需的电量几乎一样，但是，同样形状和体积的片层，区数愈多，夹断就愈容易(反过来就可使用较宽的沟道以取得较小的通态电阻)，薄板层叠，正是一种既能充份利用片层周界又可得宽沟道的做法。

安卓佳

有源器件不外增强型及耗尽型两种，截止是增强型的默认状态，你要开通它，就要给它「鼓劲」，而以开通为默认状态的元件，想把它关掉，就要「耗尽」它，
有源器件除jFET外，都是增强型的，增强型跟电压源的性质正好匹配，耗尽型则可直接用于电流源而无需任何预加偏置或驱动，但是，在电压本位的世界里，像可控硅这样的元件只有增强型，没有耗尽型的，
负阻(非可控)元件，耗尽型的亦只有λ二极管一种，而且是小功率的，大概相当于肖克利二极管的层级，也许，人们永远不会考虑以恒流源供电，故耗尽型可控硅的研究就没有必要，但稍事推敲还是没坏处的，
二端子的电子元件，不只二极管一种，但λ二极管的本质，却是货真价实的二极管，jFET是一个PN结，但实际上，一个PN结可以转化成两只jFET（或λ二极管）！
可控硅加反偏不能关断，耐压的提高也不明显，减低误开通的风险倒是有点帮助，而对于λ二极管，引入电阻分压可提高夹断门限，加反偏则会更快夹断，jFET有双栅极的，偏置与耦合可以分开，控制者跟管子的隔离程度更好，调控更方便 。

安卓佳

一个结的元件，当然不能少了LED与光伏电池的份儿，
跟世上既有的可逆线性电器一样，LED跟光伏电池的互易关系，也是电压模式，即是说，发电极性跟馈电极性相同，在发光与光伏器件，都是P正N负，
跟一切气体放电灯一样，LED也是以芯片整体发光的，所以，芯材必须完全透明，光伏电池的光是从芯片里头（PN结）输出的，当然也需要透明才能让光内进，
间接能级半导体也会发光，但发光太弱，需要添加发光中心来增效，但跟直接能级材料相较还是望尘莫及，LED的原理是复合发光，这种复合是强制复合，跟BJT一样，咱们希望载流子的寿命够长，但又跟BJT不一样，咱们希望载流子集中在一处来复合，不要分散及走远，
有某专家就想到，在小于主PN结扩散长度的地方设置「路障」，使载流子都堵在主结区内而复合掉，LED的异质结跟BJT的不一样，并非种两种材料直接成结，而是以宽禁带材料作为窄禁带同质结的限制层，其实应该理解为「宽禁带的外延层」更合适，BJT可以只有一个异质结，但LED的限制层是应该两边都加上的，不加也行，不过发光效率就差多了，光伏电池是LED的逆过程，不过，那个限制层该不会加了吧，加了，载流子出不来，光伏效率岂不更差吗？

hk6108

安卓佳 发表于 2015-7-25 14:14
　　耐压跟浓度呈负相关，这是半导体的自然法则，除了材料，二极管成品的耐压到底取决于甚么，难道只是掺杂 ...

齐纳击穿也是隧道效应，
反偏时，导价嵌套程度随电压增加而增加，故没有负阻，正向时，导价嵌套随着电压增加而减小，解除，然后以普通二极管的特性导通，所以就有负阻。

574433742

学习了，，其实我更喜欢 ，那个配色。。。。。

安卓佳

异质结可使BJT的耐压，频率，开关速度与放大倍数都大大增加，而LED的宽禁带外延用在BJT中不会有此效果，但我想，如果外延层是宽禁带的，即使穿通了，耐压也不会骤降而令BJT崩溃吧？

安卓佳

金属与金属也可造成非欧姆接触，但似乎都只能做热电偶，不能成为PN结，化合物(金属间化物除外)及非金属可作为有源器件用材，能作有源器件用材的，通常亦能跟金属组成「PN结」，
半导体科技的兴起与发展，是由四价元素开始的，四价元素的角色，总是单质，三价及五价元素是掺杂物(也是单质)，在LED或其他非硅类器件中，三价与五价元素成为主角，但总是化合物，而且往往是三五互化，亦不会掺入四价元素，
纯净，是关乎半导体元器件制作成败的首要条件，除了厂房需要超洁，作为半导体元件的用料，不论是单质，化合物，都必须极度纯净，基材固然，掺杂物也含糊不得，掺杂物是添加剂，不是杂质，同样也必须极度纯净。

安卓佳

恒流二极管的结构像jFET，jFET可作为恒流元件，但除需把栅极接地还要在源极串入电阻才有恒流之效，结构复杂的大功率有源器件，如果有逆导二极管的，也往往成为寄生jFET，但同样没有恒流效果，
恒流二极管是一种自带完整功能的非可控器件，要做到自带功能，就要跟λ二极管一样，在jFET的基础上作出改动，恒流二极管的结构，原来就是这样的，跟 λ二极管的结构图一样，也是遍寻不获，而这个恒流二极管的也是绝无仅有（居然就在本站，谷歌搜到的）。

喵爱小鱼鱼

楼主是做ic的么