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五彩晶圆(初级)

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又做个分立稳压器 [复制链接]




这个电路用了两级放大作为误差放大器,两级射随输出。用TL431做基准,R3=R9就成为5V输出的。元件参数没有优化,焊PCB的时候觉得差不多就上了。实测压差在2V的时候(输入7V)性能已经相当好,输出阻抗和噪声显著优于LM317。

我搭分立的稳压电路(纯晶体管的,或运放加晶体管的),主要目的是为了实现低输出阻抗,给音频DAC等高性能模拟电路用。常用的LDO虽然测试输入抑制比还可以,负载的响应就差了。传统的LM317仍然不够好,尽管用得很普遍。
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非常有道理。 这些隔离用的PN结一旦有一个成为正偏,整个电路拓扑完全改变了。 但是很难分析,因为厂家通常不会透露其工艺和结构。就算我们知道了,分析起来也太复杂。 比较简单的结构还是可以分析的,例如功率MOS管里面的寄生二极管。这个寄生二极管可以说是“非预期”产生的。此寄生二极管反向恢复特性比快速二极管差,但生产MOS管的厂家无法改进其特性,因为这个二极管根本不是按照某种设计做出来的。使用者也无法避免其特性。这一点IGBT就好得多,可以没有寄生二极管,也可以和IGBT一起做成这么一支二极管。而且因为是单独设计的(掺杂等),其特性比MOS的寄生二极管好得多。  详情 回复 发表于 2015-7-24 07:51

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一粒金砂(高级)

沙发
 
稳压电路应用在音频电路很好
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一粒金砂(中级)

板凳
 
模拟电路太差根本看不懂
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“元件参数没有优化,焊PCB的时候觉得差不多就上了”。
这句不大赞成。良好的性能必是建立在测量和计算的基础上。
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纯净的硅(中级)

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我越来越觉得自己有洁癖,板子焊完不允许留下一点松香的痕迹,必须用洗板水洗干净。
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非要追求高性能,不如用基准源和运放搭。
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个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
 
 
 

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“常用的LDO虽然测试输入抑制比还可以,负载的响应就差了。传统的LM317仍然不够好,尽管用得很普遍。”
楼主用分立元器件做稳压器,目的显然是要追求比LM317或者固定电压的7805之类更快的速度。
追求速度,可以理解,电源的反应速度应该高于放大器耗电变化的速度才对。
但是,电源的反应速度一定要靠器件来保证吗?
通常,电源不会和放大器放在一起,而是有一段距离。越是功率大的放大器,电源到放大器的距离往往也越大。那么电源到放大器输出管的联接线就比较长,其电感不可忽略。所以,放大器输出管处通常接有电容(所谓电源旁路电容或称退耦电容)。电源的稳定,或者说电源可以看成是接近理想的电压源,实际上是靠放大器输出管处的电容来保证的,而不是靠稳压电源的快速响应来保证的。
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这就又产生了一个问题:开关电源是否可以用在高保真放大器上?
很多人认为,开关电源反应速度比线性电源慢得多,不能用在高保真放大器上。
开关电源确实反应速度比较慢。但前面说过,放大器供电的稳定,主要是靠输出管处的电容来保证。有时为了避免卷绕式电容寄生电感的影响,还使用两支甚至更多电容并联,一支容量大的电解电容和一支容量较小但无感的薄膜电容。
在这种情况下,放大器供电的稳定实际上并不是靠电源的反应速度,所以反应速度慢的开关电源也完全可以使用在高保真放大器上面。当然,抑制开关电源固有的噪声也是很重要的问题。但这绝不是不可解决的问题,而且成本并不高。
上述观点,如果楼主有兴趣,不妨深入讨论讨论。
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五彩晶圆(初级)

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是的,如果电源到放大器的连线较长,电源的响应速度再快就没有意义了。PCB上1oz铜厚,1mm线宽,10mm长度走线的电阻大约是5毫欧。我DIY的这个,13kHz左右输出阻抗在2毫欧以内,还有优化空间。
起初我也是想用退耦电容来改善电源响应速度和噪声的,却发现有限。比如直径8mm的铝电解,100kHz阻抗做到30毫欧就已经相当不错了。
我的设计目的是给ADC/DAC这类功耗小,可能对电源敏感的电路用的。布线的时候,把电源输出和关键电路靠近。在我刚做的一个东西里面https://bbs.eeworld.com.cn/thread-467533-1-1.html就用了分立的稳压电源。工作时测试电源输出的噪声,明显比LDO出来的小。
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“我的设计目的是给ADC/DAC这类功耗小,可能对电源敏感的电路用的。” 这样的话,可以理解。  详情 回复 发表于 2015-7-13 17:51
 
 
 
 

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分立电路其实就是运放里头的东西,但你可以自己设计,调试,从中认识电路的运作原理。
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从原理上说,集成电路无非是将分立的三极管、电阻等等做到了一片硅片(或其它半导体材料)上。 但集成电路有其弱点:各元件之间靠PN结等隔离,所以各元件之间分布电容较大,相互耦合较大。 因此在对快速性要求高的电  详情 回复 发表于 2015-7-13 17:57
 
 
 
 

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cruelfox 发表于 2015-7-13 09:37
是的,如果电源到放大器的连线较长,电源的响应速度再快就没有意义了。PCB上1oz铜厚,1mm线宽,10mm长度走 ...

“我的设计目的是给ADC/DAC这类功耗小,可能对电源敏感的电路用的。”

这样的话,可以理解。
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安卓佳 发表于 2015-7-13 10:08
分立电路其实就是运放里头的东西,但你可以自己设计,调试,从中认识电路的运作原理。

从原理上说,集成电路无非是将分立的三极管、电阻等等做到了一片硅片(或其它半导体材料)上。
但集成电路有其弱点:各元件之间靠PN结等隔离,所以各元件之间分布电容较大,相互耦合较大。
因此在对快速性要求高的电路中,采用分立元器件可以达到比集成电路更高的性能。这正是楼主使用分立元件之目的。
当然,随着集成电路制造技术的发展,差距已经在缩小。
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我怀疑,运放在超限输入时造成的某些非预期错误,原因之一可能就是这些作隔离之用的PN结搞的鬼?  详情 回复 发表于 2015-7-23 22:52
 
 
 
 

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maychang 发表于 2015-7-13 17:57
从原理上说,集成电路无非是将分立的三极管、电阻等等做到了一片硅片(或其它半导体材料)上。
但集成电路 ...

我怀疑,运放在超限输入时造成的某些非预期错误,原因之一可能就是这些作隔离之用的PN结搞的鬼?
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非常有道理。 这些隔离用的PN结一旦有一个成为正偏,整个电路拓扑完全改变了。 但是很难分析,因为厂家通常不会透露其工艺和结构。就算我们知道了,分析起来也太复杂。 比较简单的结构还是可以分析的,例如功率  详情 回复 发表于 2015-7-24 07:51
 
 
 
 

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安卓佳 发表于 2015-7-23 22:52
我怀疑,运放在超限输入时造成的某些非预期错误,原因之一可能就是这些作隔离之用的PN结搞的鬼?

非常有道理。
这些隔离用的PN结一旦有一个成为正偏,整个电路拓扑完全改变了。
但是很难分析,因为厂家通常不会透露其工艺和结构。就算我们知道了,分析起来也太复杂。

比较简单的结构还是可以分析的,例如功率MOS管里面的寄生二极管。这个寄生二极管可以说是“非预期”产生的。此寄生二极管反向恢复特性比快速二极管差,但生产MOS管的厂家无法改进其特性,因为这个二极管根本不是按照某种设计做出来的。使用者也无法避免其特性。这一点IGBT就好得多,可以没有寄生二极管,也可以和IGBT一起做成这么一支二极管。而且因为是单独设计的(掺杂等),其特性比MOS的寄生二极管好得多。
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