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非常有道理。
这些隔离用的PN结一旦有一个成为正偏,整个电路拓扑完全改变了。
但是很难分析,因为厂家通常不会透露其工艺和结构。就算我们知道了,分析起来也太复杂。
比较简单的结构还是可以分析的,例如功率MOS管里面的寄生二极管。这个寄生二极管可以说是“非预期”产生的。此寄生二极管反向恢复特性比快速二极管差,但生产MOS管的厂家无法改进其特性,因为这个二极管根本不是按照某种设计做出来的。使用者也无法避免其特性。这一点IGBT就好得多,可以没有寄生二极管,也可以和IGBT一起做成这么一支二极管。而且因为是单独设计的(掺杂等),其特性比MOS的寄生二极管好得多。
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发表于 2015-7-24 07:51
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