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一粒金砂(初级)

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电源开关 [复制链接]

要求用单片机控制15V2A的电源开关,用场效应管怎么选型号控制合适?
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这只是提醒,注意别错而已。 如是产品,器件的数据手册、器件图库、封装图库不一致,设计的人在,说得请没问题。 考虑到万一设计者调走,则最好别给接任者留下任何疑义。  详情 回复 发表于 2015-7-13 12:51
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纯净的硅(高级)

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本帖最后由 gh131413 于 2015-7-11 11:58 编辑

AP9435 TO-252,也可SOT-89实测一下温度
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gh131413 发表于 2015-7-11 11:57
AP9435 TO-252,也可SOT-89实测一下温度

具体电路这么实现呀,我用STC单片机的IO
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一粒金砂(初级)

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苏生浪肆 发表于 2015-7-11 14:22
具体电路这么实现呀,我用STC单片机的IO

这样可不可以

{E3709F8B-AE4C-4D2D-88F8-224401E547AB}.bmp (509.08 KB, 下载次数: 3)

{E3709F8B-AE4C-4D2D-88F8-224401E547AB}.bmp
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这样连接不对吧  详情 回复 发表于 2015-7-11 16:40
 
 
 

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纯净的硅(高级)

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这样连接不对吧
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裸片初长成(初级)

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供参考。
图1.电路最简,两电源不绝缘,且非共地,FET要注意选门限电压足够低的。
图2.两电源不绝缘但共地,FET要注意G-S耐压。
图3.两电源间绝缘,正极开关,FET要注意G-S耐压。
图4.两电源间绝缘,负极开关,FET要注意G-S耐压。
(一般地,同性能的N沟道管要比P沟道管便宜些。)

FET-SW.png (18.09 KB, 下载次数: 0)

FET-SW.png
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按楼上的说的
如用NMOS,可以考虑IRF540 ,IRF530,英飞凌的IPD15N06S3L
用PMOS,IRF9530N
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一粒金砂(初级)

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qwqwqw2088 发表于 2015-7-11 18:52
按楼上的说的
如用NMOS,可以考虑IRF540 ,IRF530,英飞凌的IPD15N06S3L
用PMOS,IRF9530N

我手上有IRF630N
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一粒金砂(初级)

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本帖最后由 苏生浪肆 于 2015-7-13 10:45 编辑
仙猫 发表于 2015-7-11 16:53
供参考。
图1.电路最简,两电源不绝缘,且非共地,FET要注意选门限电压足够低的。
图2.两电源不绝缘但 ...

根据您图3的设计,我改成这个样子,管子用AP9435K,大神帮忙确认一下有没有问题

{4EBBEB83-265C-4C2D-93B5-3759549A34B3}.bmp (714.19 KB, 下载次数: 1)

{4EBBEB83-265C-4C2D-93B5-3759549A34B3}.bmp
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1、光耦输入端建议并电阻,以防上电瞬间的误动作。 2、光耦型号应是TLP181?若此,引脚编号和手册不符。  详情 回复 发表于 2015-7-13 12:01
 
 
 

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裸片初长成(初级)

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苏生浪肆 发表于 2015-7-13 10:38
根据您图3的设计,我改成这个样子,管子用AP9435K,大神帮忙确认一下有没有问题

1、光耦输入端建议并电阻,以防上电瞬间的误动作。
2、光耦型号应是TLP181?若此,引脚编号和手册不符。
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一粒金砂(初级)

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仙猫 发表于 2015-7-13 12:01
1、光耦输入端建议并电阻,以防上电瞬间的误动作。
2、光耦型号应是TLP181?若此,引脚编号和手册不符。

你说的手册上是1,3,4,6的标识吗?那个没关系,封装是四脚的对上就行
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这只是提醒,注意别错而已。 如是产品,器件的数据手册、器件图库、封装图库不一致,设计的人在,说得请没问题。 考虑到万一设计者调走,则最好别给接任者留下任何疑义。  详情 回复 发表于 2015-7-13 12:51
 
 
 

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裸片初长成(初级)

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苏生浪肆 发表于 2015-7-13 12:39
你说的手册上是1,3,4,6的标识吗?那个没关系,封装是四脚的对上就行

这只是提醒,注意别错而已。
如是产品,器件的数据手册、器件图库、封装图库不一致,设计的人在,说得请没问题。
考虑到万一设计者调走,则最好别给接任者留下任何疑义。
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