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纯净的硅(初级)

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晶振电路讨论 [复制链接]

本帖最后由 dirty 于 2015-4-24 09:07 编辑

如图:C15/C14容值选择对晶振工作的影响机制具体如何?   |||   在晶振电路输出端串联电阻R5的作用?是否起到了降低晶振振荡幅值 作用?如是阻值如何选择而又不影响晶振正常工作?  有急用,谢谢给位专业大侠的帮助。  

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等效看就是个电容三点式震荡器,X1是晶体,相当于三点式里面的电感,C1和C2就是电容,单片机内部是个反相器,可以对照高频书里的三点式电容振荡电路。   详情 回复 发表于 2015-4-24 14:08
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五彩晶圆(初级)

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楼主先看下晶振的基本原理然后回过头看就明白啦
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一粒金砂(初级)

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每一颗晶体都会有厂商给出的负载电容CL
C14*C15/(C14+C15)+CP=CL
CP杂散电容
如C14,15选择不当,不会起振。C14,C15的选择影响到晶体振荡频率。
R5目的是限流,防止过激励
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做FCC/CE认证EMC 960MHz 幅值dBuV 该处PCB辐射比较大,R5取值可有些参考以降低辐射值?谢谢  详情 回复 发表于 2015-4-24 10:50
 
 
 
 

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裸片初长成(高级)

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与晶体相联的两个电容及两个电阻,是与晶体的负载特性及振荡器特性共同决定的。

如楼上所说,两个电容的选择,要看晶体的特性,每种晶体在手册中对负载电容都有说明。

R5是振荡器的负载特性决定的。它一般接在输出端。

实际应用中,可以既根据手册说明选择,也要根据实际作调整。达到振荡稳定的目的。
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纯净的硅(初级)

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ncutlan 发表于 2015-4-24 09:35
每一颗晶体都会有厂商给出的负载电容CL
C14*C15/(C14+C15)+CP=CL
CP杂散电容
如C14,15选择不当,不会起振。C14,C15的选择影响到晶体振荡频率。
R5目的是限流,防止过激励

做FCC/CE认证EMC 960MHz 幅值dBuV 该处PCB辐射比较大,R5取值可有些参考以降低辐射值?谢谢
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两个电容叫匹配电容,与频率、振荡电路参数和晶体的负载电容参数相关,其容量过大或过小都会导致起振困难,在采用泛音晶体时,还可能导致频率锁定在错误的基频或低次泛音频率上。电阻R6的作用则是降低振荡回路的增益,实际上是个负反馈电阻,这样可以使信号沿不至于过分陡峭而使EMI特性劣化。R5是串联在整个回路里的阻尼电阻,一般不用或取很小的数值,其作用是起振时使信号更稳定。
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个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
 
 
 

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纯净的硅(中级)

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等效看就是个电容三点式震荡器,X1是晶体,相当于三点式里面的电感,C1和C2就是电容,单片机内部是个反相器,可以对照高频书里的三点式电容振荡电路。
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个人签名专业从事于在线监测振动、转速、轴振动、位移等,设备管理及故障检测振动诊断系统在线监测点巡检系统-现场动平衡仪-测振仪、便携式测振仪
 
 
 

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