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一粒金砂(中级)

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用MOSFET管实现软启动的原理!!!!不是很明白 [复制链接]

下图为12V电源软启动的部分原理图,在下新手,看不懂原理是怎么实现的。请大家帮忙看看撒~ 还有D19作用是啥?为什么还要拉R280作为反馈???!!!C:\Documents and Settings\Administrator\桌面\222
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漏极与门极相位相反,故通过该电容是个负反馈。 如果没有这个电容,上电后P沟MOS经R433和R434接地,P沟MOS立即导通,C4上端立即为接近12V。有了这个电容,上电后漏极电位从零开始上升,注意电容两端电压不能突变,故门极电位被该电容“拉高”,阻止MOS导通。所以MOS漏极电位不能迅速上升到12V,只能随该电容不断充电而缓慢上升。此即“软启动”。   详情 回复 发表于 2015-1-20 17:56
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一粒金砂(中级)

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注意C450是接在漏极与门极之间,这相当于门极对地接了个非常大的电容(C450容量的百倍甚至更多)。
D19目的是下电时C449经D19下面二极管迅速放电。
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一粒金砂(中级)

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你好  能说得详细点不 好像有点懂了 但又不是特别明白,谢谢了!!!!maychang 发表于 2015-1-20 17:43
注意C450是接在漏极与门极之间,这相当于门极对地接了个非常大的电容(C450容量的百倍甚至更多)。
D19目的是下电时C449经D19下面二极管迅速放电。




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漏极与门极相位相反,故通过该电容是个负反馈。 如果没有这个电容,上电后P沟MOS经R433和R434接地,P沟MOS立即导通,C4上端立即为接近12V。有了这个电容,上电后漏极电位从零开始上升,注意电容两端电压不能突变,  详情 回复 发表于 2015-1-20 17:56
 
 
 

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漏极与门极相位相反,故通过该电容是个负反馈。
如果没有这个电容,上电后P沟MOS经R433和R434接地,P沟MOS立即导通,C4上端立即为接近12V。有了这个电容,上电后漏极电位从零开始上升,注意电容两端电压不能突变,故门极电位被该电容“拉高”,阻止MOS导通。所以MOS漏极电位不能迅速上升到12V,只能随该电容不断充电而缓慢上升。此即“软启动”。





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