关于STM32像EPROM一样可以单字节写内部Flash的理解

Jerryzgj · 发表于2014-12-12 17:48

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都有说STM32的内部Flash可以像EPROM一样操作，单个字节单个字节的写入。根据本人的拙见，其实也就仅仅是“像”而已。原因有以下几点：1.首先Flash这种东西，其写入数据的原理是便是将1变成0，所以你的某地址Flash一旦已经写过数据而且不为0，则当你再次需要向该地址写数据时，必须要先擦除，即把该地址先全部变成1，否则你将数据写入该地址后，基本上该地址里面的值已经不是你写入的值了。
2.STM32对内部Flash有页（1k或者2K）擦除指令，也就是STM32不能单独对某一个或者某几个字节进行擦除。而擦除操作并不需要大量内存。
3.如果要像EPROM一样操作Flash，其原理是先把该一页里面的数据全部读到一个buf里面，如果你希望整页的数据不丢失，那么buf的大小至少应该和页大小一样，即为1K或者2K（大小视MCU型号而定）。然后对整页进行擦除，再把要写入的数据先写到之前的buf里面（用要写入的数据替换buf里相应位置的原来的数据），再把整个buf写到Flash里面。如此便实现了任意数据长度的数据写入Flash。
4.正如第3点，如果你跑的是系统，诸如（UCOS，RTX，FRERTOS）等，那么你进行此操作的task的堆栈至少应该为1K+N或者2K+N。否则直接堆栈溢出而进hard fault。我想这是我们大家所不能忍受的。
当然，对于上述问题有一些变通的方法，如果你要写入的数据比较少，比如几十个Byte，那么你可以将buf改小，只要大于等于你要保存的数据数量就可以了，这样便可以大大减小内存。另外，STM32支持字（4Byte）或者半字（2Byte）写入，所以你的buf应该为偶数。如果你要写入的数量为奇数，buf也应该为偶数，不足的在buf里补0或任意一个数就好。因为，如果你的buf为奇数的话，在写入最后一个数据时，系统会在内存中随便抓一个地址里的数据，写进去，这可能出问题。（究竟有没问题我没有试过）。
暂时就这么多，以后有什么发现再来补充，有不对的地方欢迎拍砖。

bobde163 · 发表于2014-12-12 19:47

学习了

dcexpert · 发表于2014-12-12 21:36

Flash的擦除次数是比较少的，所以不能象EEPROm或铁电那样频繁的写入。适合保存不经常改变的数据。

Jerryzgj · 发表于2014-12-12 23:08

是的，STM32只有1w次，如果买的芯片不正中，能擦多少次就更是不好说了。

星科尔 · 发表于2014-12-13 10:34

基本上就是这个原理

damiaa · 发表于2014-12-13 20:14

不经常改变的数据就可以用。

huo_hu · 发表于2014-12-13 21:49

说的不错,补充几点,

读出全擦再写自然是最简单的.flash的内容擦过即可写入而不一定要全擦.比如你想保存1个数据到某个地址只要保证这个地址是之前擦过的就可以写入成功,而不必非得擦除整个页.这个操作需要有额外的代码开销,也就是要有一套机制保证,至于怎么做就看你的了.
擦除操作要费很多时间,所以先预先准备好足够的数据区可以提高保存数据的实时性要求.
如果要写得数据比较频繁为了减少单个页的写入次数以延长寿命,可以轮番写多个页,这个也是有开销和数据结构支撑的.